[发明专利]一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有平坦化绝缘层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括在第一方向上依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述外延层结构还包括第一凹槽结构，用于在预设区域暴露出所述N型半导体层，所述第一方向为垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构的方向；

设置在所述P型半导体层背离所述衬底一侧的平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；

通过所述第二凹槽结构，设置在所述P型半导体层上的金属接触层；

其中，所述金属接触层和所述平坦化绝缘层的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

设置在所述P型半导体层和所述平坦化绝缘层之间的透明导电层；

所述金属接触层通过所述第二凹槽结构，设置在所述透明导电层上。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述平坦化绝缘层上具有第三凹槽结构，用于暴露出所述N型半导体层；

其中，所述LED芯片还包括：

通过所述第三凹槽结构，设置在所述N型半导体层上的N电流扩展条。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

设置在所述平坦化绝缘层背离所述衬底一侧的绝缘保护层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层上具有开口区域；

所述开口区域用于暴露出所述金属接触层和N电流扩展条。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述平坦化绝缘层为一层绝缘层结构；

所述平坦化绝缘层的材料为MgF、MgO、BeO、TiO_x、CrO₂、ZrO₂、HfO₂、Ni₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、In₂O₃、GeO₂、SnO₂和SiN_x中的一种。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述平坦化绝缘层为多层结构；

所述平坦化绝缘层包括：相邻所述衬底一侧的基础绝缘层，以及设置在所述基础绝缘层背离所述衬底一侧的其它膜层；

其中，所述其它膜层为绝缘层或非绝缘层或堆叠膜层；

所述堆叠膜层为多层绝缘层的堆叠膜层，或多层非绝缘层的堆叠膜层，或非绝缘层和绝缘层的堆叠膜层。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述基础绝缘层和所述绝缘层的材料为MgF、MgO、BeO、TiO_x、CrO₂、ZrO₂、HfO₂、Ni₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、In₂O₃、GeO₂、SnO₂和SiN_x中的一种；

所述非绝缘层的材料为禁带宽度为0的材料，或禁带宽度小于4.0V的材料；

所述非绝缘层为高反射层，所述高反射层的材料为Ag、Al、Ti、Pt、Au、Cu和Mo中的一种或多种。