[发明专利]一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法

权利要求书

1.一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于，包含如下步骤：

S1，配制CuSO₄电解液：将五水合硫酸铜晶体、NaCl固体、明胶固体溶解在蒸馏水中，搅拌均匀，得到CuSO₄电解液；

S2，制作生长基底：将圆铜片退火处理，然后进行超声处理，得到圆铜片生长基底；所述圆铜片的成分为紫铜，直径为10mm~20mm，厚度为1mm~2mm；

S3，制备CuO纳米晶：准备电解反应池，电解反应池由培养皿、三维移动平台、精密探针、直流电源组成，开始电解过程，将步骤S1得到的CuSO₄电解液倒入培养皿中，将步骤S2得到的生长基底置于CuSO₄电解液中，通过三维移动平台将精密探针正对生长基底中心垂直插入电解液并距生长基底一段距离，将直流电源的阳极与生长基底连接，阴极与精密探针连接，通电一段时间后得到上表面生长出CuO纳米晶的生长基底；所述精密探针为直径为0.1mm～1mm的钢针，与生长基底的垂直距离通过三维移动平台控制为5mm~10mm；所述直流电源的通电参数具体为：小片状为电压15V～18V，电流0.3A～0.4A，时间2min～6min；大片状为电压15V～18V，电流0.3A～0.4A，时间6min～10min；微球状为电压18V～20V，电流0.4A～0.6A，时间1min～2min；

S4，后处理：将步骤S3得到的生长出CuO纳米晶的生长基底用清洗剂进行清洗，干燥后即得所述的CuO纳米晶材料。

2.如权利要求1所述的不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于：所述步骤S1中CuSO₄电解液中各成分的浓度为：五水合硫酸铜的浓度范围为50 g/L ~150g/L、NaCl的浓度范围为5 g/L ~15g/L、明胶的浓度范围为12 g/L ~16g/L。

3.如权利要求1所述的不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于：所述步骤S2中退火处理的条件为400℃~600℃下1h~2h，结束后将圆铜片置入蒸馏水中迅速冷却。

4.如权利要求1所述的不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于：所述步骤S2中超声处理的具体方法为设定超声清洗机的工作时间为3min~5min，清洗温度为25℃~35℃，功率为100%。

5.如权利要求1所述的不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于：所述步骤S4中清洗剂选为丙酮或无水乙醇。