[发明专利]图像传感器、其形成方法及集成芯片

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，包含第一材料；

图像传感器元件，设置在所述衬底内，其中所述图像传感器元件包括有源层，所述有源层包含与所述第一材料不同的第二材料；

缓冲层，设置在所述有源层与所述衬底之间，其中所述缓冲层沿着所述有源层的外侧壁及底表面延伸；以及

顶盖结构，上覆在所述有源层上，其中所述有源层的所述外侧壁在所述顶盖结构的外侧壁之间在侧向上间隔开，使得所述顶盖结构在所述有源层的外边缘之上连续地延伸。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述顶盖结构的最大宽度大于所述有源层的最大宽度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中在从所述顶盖结构的底表面延伸到所述缓冲层的底表面的方向上，所述有源层的宽度连续地减小。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述顶盖结构包括突起，所述突起在所述有源层的顶表面下方延伸且接触所述有源层的上表面，其中所述有源层的所述上表面是弯曲的。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

硅化物层，设置在所述顶盖结构内，其中所述硅化物层包含所述第一材料与导电材料的硅化物，其中所述硅化物层直接上覆在所述有源层上且电耦合到所述有源层。

6.一种集成芯片，包括：

衬底，包含第一材料，其中所述衬底包括相对的侧壁及下表面，所述相对的侧壁及所述下表面界定沟槽，所述沟槽延伸到所述衬底的前侧表面中；

有源层，设置在所述沟槽内，其中所述有源层包含与所述第一材料不同的第二材料；

缓冲层，对所述沟槽进行衬垫，使得所述缓冲层设置在所述衬底与所述沟槽之间，其中所述缓冲层包含所述第一材料与所述第二材料的化合物；

顶盖结构，在所述有源层及所述缓冲层之上连续地延伸，其中所述顶盖结构上覆在所述衬底的界定所述沟槽的所述相对的侧壁上，其中所述顶盖结构包含所述第一材料；以及

硅化物层，设置在所述顶盖结构内。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，还包括：

内连结构，上覆在所述衬底的所述前侧表面上，其中所述内连结构包括设置在介电结构内的多个导通孔及多条导电配线，其中所述导通孔及所述导电配线通过所述硅化物层电耦合到所述有源层。

8.根据权利要求6所述的集成芯片，其中所述有源层的顶表面在垂直方向上位于所述缓冲层的顶表面下方，且所述缓冲层的所述顶表面在垂直方向上位于所述衬底的所述前侧表面下方。

9.根据权利要求6所述的集成芯片，其中所述顶盖结构从所述衬底的所述前侧表面沿着所述缓冲层的顶表面连续地延伸到所述有源层的顶表面。

10.一种形成图像传感器的方法，包括：

沿着衬底的表面形成介电层，其中所述衬底包含第一材料；

对所述介电层及所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底内界定沟槽；

在所述沟槽内形成缓冲层，使得所述介电层接触所述缓冲层；

在所述沟槽内形成有源层，其中所述有源层包含与所述第一材料不同的第二材料；以及

在所述有源层之上形成顶盖结构，使得所述顶盖结构沿着所述有源层的顶表面连续地延伸，其中所述顶盖结构包含所述第一材料，且其中所述顶盖结构上覆在所述有源层的最上边缘上。