[发明专利]一种铬硅化物靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010959472.5 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112144024B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 大岩一彦;姚科科;廣田二郎;中村晃;林智行;山田浩 | 申请（专利权）人： | 浙江最成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/15;B22F3/24 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铬硅化物靶材 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铬硅化物靶材的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将纯度99.9％以上的Cr与Si进行混合，其中Cr含量20-55wt％，与之对应的Si含量则为45-80wt％，将混合物粉碎成平均粒径10-100μm的粉末，使其均匀化；
(2)将混合后的粉末置于真空热处理炉中，在温度1000-1300℃的条件下，保持1-3小时，进行Cr和Si的反应，生成二硅化铬化合物粉末，用此方式产生的粉末作为原材料的一部分；
(3)将步骤(1)和步骤(2)的混合原料粉末通过真空热压，在惰性气体气氛10-1000Pa下，于1200-1350℃和加压力400-600kg/cm2下处理60-480分钟，得到密度97％以上的一次烧结体；
(4)将一次烧结体通过热等静压技术以100-160MPa、1250-1350℃，处理60-240分钟，得到密度99％以上的二次烧结体；
(5)将二次烧结体通过真空热处理炉进行1200-1300℃、60-240分钟的退火处理，然后通过机械加工除去表层的氧化及变质层，得到氧含量小于500ppm且密度在99％以上的铬硅化物靶材。
2.根据权利要求1所述的一种铬硅化物靶材的制备方法，其特征在于：所述的惰性气体为氢气。
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