[发明专利]一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具在审
| 申请号： | 202010955452.0 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112083313A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 殷岚勇;李亚鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州韬盛电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R1/04 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 范登峰 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 die igbt 芯片 测试 | ||
1.一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，包括定位框(5)和下补强钢件(7)，其特征在于：所述定位框(5)的上端卡接有手测盖(1)，所述手测盖(1)上端安装有风扇(13)，所述手测盖(1)底部设有上导电铜块(2)，所述定位框(5)内部的型腔内设有下导电铜块(4)，所述上导电铜块(2)和下导电铜块(4)之间设有裸die芯片(3)，所述定位框(5)的两侧设有气管接头(8)，所述定位框(5)和下补强钢件(7)之间固定有上补强钢件(6)，所述上补强钢件(6)的上端设有PCB板。
2.根据权利要求1所述的一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，其特征在于：所述手测盖(1)的两侧活动连接有卡扣座(9)，所述卡扣座(9)卡结于定位框(5)两侧的卡槽(10)。
3.根据权利要求1所述的一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，其特征在于：所述手测盖(1)内部设有位于风扇(13)下方的散热块(14)。
4.根据权利要求1所述的一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，其特征在于：两组所述气管接头(8)一进一出通入热氮气，用于将型腔内空气挤排干净。
5.根据权利要求1所述的一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，其特征在于：所述定位框(5)下端的定位销(11)贯穿PCB板后插入至上补强钢件(6)内，所述下补强钢件(7)上端的定位块(12)插入至上补强钢件(6)内。
6.根据权利要求1所述的一种超薄裸die IGBT芯片的测试治具，其特征在于：所述定位框(5)、上补强钢件(6)和下补强钢件(7)之间通过pogo pin定位针进行定位连接。
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