[发明专利]一种高光提取效率且耐光老化的紫外LED封装胶及封装结构有效

专利信息
申请号: 202010955273.7 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN112054109B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 高欣;洪建明;李春峰;李冬 申请(专利权)人: 天津中环电子照明科技有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56
代理公司: 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 代理人: 苏冲
地址: 300300 天津市西*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 提取 效率 老化 紫外 led 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种高光提取效率且耐光老化的紫外LED封装胶,其特征在于:

包括如下组分:含Si-O、C-F、Si-F键的胶体、占胶体质量百分比为0.1-10%的猝灭剂、占胶体质量百分比为0.1-10%的氢过氧化物分解剂、占胶体质量百分比为0.1-15%的自由基捕获剂、占胶体质量百分比为0.1-15%的受阻胺光稳定剂、占胶体质量百分比为0.5-5%的偶联剂、占胶体质量百分比为1-5%的分散剂;

所述受阻胺光稳定剂为哌啶系衍生物、哌嗪系衍生物、咪唑烷酮系衍生物中的一种或多种的混合物;

所述猝灭剂为镍光稳定型猝灭剂;

所述氢过氧化物分解剂为二烷基二硫代氨基甲酸酯、二烷基二硫代磷酸酯、硫代二苯酚酯中的一种或多种的混合物;

所述自由基捕获剂为2,2-二苯基-1-三硝基苯肼、对苯醌、四甲基苯醌、2-甲基-2-亚硝基甲烷、苯基-N-叔丁基硝酮中的一种或多种的混合物。

2.根据权利要求1所述的一种高光提取效率且耐光老化的紫外LED封装胶,其特征在于:所述封装胶的折射率为1.0-1.7。

3.一种高光提取效率且耐光老化的紫外LED封装结构,其特征在于:包括波长为200-400nm的紫外LED芯片(2)、封装基板(3)和将紫外LED芯片(2)覆盖且由权利要求1-2任一项所述的封装胶制成的封装胶层(1),所述紫外LED芯片(2)的正负芯片电极(21)分别与封装基板(3)的两个基板电极(31)导通;

所述封装胶层远离所述封装基板的一端为向外凸起的半球状结构。

4.根据权利要求3所述的一种高光提取效率且耐光老化的紫外LED封装结构,其特征在于:所述封装胶层(1)将所述紫外LED芯片(2)完全包覆。

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