[发明专利]碳纳米管导热片的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010953257.4 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN112235999B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 李承献;邓飞 申请(专利权)人: 深圳烯湾科技有限公司
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20;C09K5/14;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 李艳丽
地址: 518172 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纳米 导热 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在基底上形成取向定向的碳纳米管阵列,其中,所述基底具有背对设置的生长面和灌胶面,所述碳纳米管阵列位于所述生长面上,所述基底上设置有多个以规定间隔设置的微孔,所述微孔为通孔,所述微孔用于灌入热固性高分子材料的原料,所述碳纳米管阵列中的各碳纳米管具有靠近所述生长面的近端和远离所述生长面的自由端;

在所述灌胶面上进行注胶,以使热固性高分子材料的原料经所述微孔向靠近所述碳纳米管的自由端的方向流动,以填充所述碳纳米管阵列的多个碳纳米管之间的间隙;

当沿所述碳纳米管流动的热固性高分子材料的原料与所述碳纳米管的自由端的距离为0.02mm~0.2mm时,停止注胶并翻转所述基底,以终止所述热固性高分子材料的原料向靠近所述碳纳米管的自由端方向的进一步的流动;

固化位于所述碳纳米管之间的热固性高分子材料的原料,得到固化后的碳纳米管阵列;及

将固化后的碳纳米管阵列与所述基底分离,得到碳纳米管导热片。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述微孔的直径为0.1mm~0.3mm;及/或,

相邻的所述微孔之间的孔间距为0.5mm~1mm。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成取向定向的碳纳米管阵列的步骤中,所述碳纳米管阵列中的碳纳米管与所述生长面的夹角75°~90°。

4.根据权利要求3所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管垂直于所述生长面。

5.根据权利要求1~4任一项所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成碳纳米管阵列的步骤中,所述碳纳米管的自由端到所述生长面的距离为100μm~1000μm;及/或,所述碳纳米管的直径为8nm~12nm;及/或,所述碳纳米管阵列中的碳纳米管的面密度为10g/m2~30g/m2

6.根据权利要求1所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述基底的材料为金属箔;及/或,所述基底的厚度为10μm~20μm。

7.根据权利要求1所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述热固性高分子材料选自液态硅胶、氟化橡胶、环氧树脂及丙烯酸树脂中的至少一种;及/或,

所述热固性高分子材料的原料的粘度为100cps~1000cps。

8.根据权利要求1~4及6~7中任一项所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述在基底上形成碳纳米管阵列的步骤包括:

在所述基底的生长面上形成催化剂层;及

采用化学气相沉积法在所述催化剂层上形成碳纳米管阵列。

9.根据权利要求8所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,所述采用化学气相沉积法在所述催化剂层上形成碳纳米管阵列的步骤包括:

在保护气氛、温度为500℃~900℃的条件下,将具有催化剂层的基底与气态的碳源反应。

10.根据权利要求1所述的碳纳米管导热片的制备方法,其特征在于,在所述将固化后的碳纳米管阵列与所述基底分离的步骤之后,还包括对所述碳纳米管的近端进行表面处理,以使所述碳纳米管的近端从热固性高分子材料中露出的步骤。

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