[发明专利]具有Z字形狭缝结构的三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

衬底；

存储堆叠层，所述存储堆叠层包括所述衬底上方的交错的导电层和电介质层；

存储器串的阵列，每个所述存储器串竖直延伸穿过所述存储堆叠层；以及

多个狭缝结构，所述多个狭缝结构将所述存储器串的阵列横向划分为多个存储区域，其中，多个狭缝结构中的每一个竖直延伸穿过所述存储堆叠层并且在平面图中以第一Z字形图案横向延伸，

其中，所述第一Z字形图案的每一条边都是由一系列椭圆接触孔横向连接形成的，其边缘是波状的。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一Z字形图案是对称的。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述第一Z字形图案包括多个转折，每个所述转折具有相同的角度。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，所述角度是60°。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一Z字形图案的边缘是波状的。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，其中：

所述狭缝结构中的至少一个狭缝结构包括多个接触孔结构；

所述接触孔结构中的至少一些接触孔结构横向连接；并且

所述接触孔结构中的至少两个接触孔结构横向分开。

7.根据权利要求5所述的3D存储器件，其中，所述接触孔结构中的在所述第一Z字形图案的转折处的一个或多个接触孔结构在平面图中具有标称的圆形形状。

8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述接触孔结构中的不在所述第一Z字形图案的转折处的其余接触孔结构在平面图中具有标称的椭圆形形状。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，在所述第一Z字形图案的转折处的接触孔结构中的每一个的临界尺寸大于所述接触孔结构中的不在所述第一Z字形图案的转折处的其余接触孔结构中的每一个的临界尺寸。

10.根据权利要求7或8所述的3D存储器件，其中，在所述第一Z字形图案的转折处的接触孔结构中的每一个的临界尺寸大于沟道孔结构中的每一个的临界尺寸。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个狭缝结构以相同的间距间隔开。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，还包括多个顶部选择栅(TSG)切口，其中，所述多个TSG切口中的每一个竖直延伸穿过部分所述存储堆叠层并且在平面图中以标称平行于所述第一Z字形图案的第二Z字形图案横向延伸。

13.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：

在衬底上方形成包括交错的牺牲层和电介质层的电介质堆叠层；

形成穿过所述电介质堆叠层的多个沟道孔和多个接触孔，其中，所述多个接触孔在平面图中以Z字形图案形成；

在每个所述沟道孔中形成沟道结构；

凭借通过所述接触孔用导电层替换所述电介质堆叠层中的所述牺牲层，形成包括交错的导电层和电介质层的存储堆叠层；

形成邻接每个所述接触孔的侧壁的多个凹陷，从而使所述接触孔横向连接以形成狭缝开口；以及

沿所述狭缝开口的侧壁形成间隔物，以使所述存储堆叠层的所述导电层电隔离，

其中，所述Z字形图案的每一条边都是由一系列椭圆接触孔横向连接形成的，其边缘是波状的。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，穿过所述电介质堆叠层同时形成所述多个沟道孔和所述多个接触孔。