[发明专利]一种类单晶纯铜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010950425.4 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN112195422B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 王金华;娄花芬;张曦;陈忠平;向朝建;杨春秀;莫永达 申请(专利权)人: 中铝材料应用研究院有限公司
主分类号: C22F1/02 分类号: C22F1/02;C22F1/08;C21D9/00;C21D9/46;C21D9/52;B21B3/00
代理公司: 中国有色金属工业专利中心 11028 代理人: 范威
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 种类 单晶纯铜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种类单晶纯铜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

步骤(1)选择具有等轴晶组织的纯铜为坯料,所述的纯铜的规格为棒材或带/箔材;

步骤(2)将步骤(1)选取好的纯铜进行冷变形处理,其中,棒材采用拉拔方式进行加工,带/箔材采用冷轧方式进行加工;所述棒材拉拔的总变形量为60%~90%,每道次减径量为0.5mm~1mm;所述带/箔材冷轧的总变形量达到50%~99%,最终厚度控制在0.007mm~0.3mm;

步骤(3)将经步骤(2)得到的铜材的头部区域在保护气氛下置于第一均匀加热区域和第一低温辐射区域进行感应加热,在头部形成籽晶;其中,所述铜材为棒材时,所述的第一均匀加热区域的温度为500℃~700℃,保温时间为6h~50h,升温速率为1℃/min~5℃/min;所述铜材为带/箔材时,所述的第一均匀加热区域的温度为1000℃~1050℃,保温时间为1h~10h,升温速率为2℃/min~20℃/min;

步骤(4)将经步骤(3)得到的纯铜,依次在第二均匀加热区域、第二低温辐射区域进行在线连续感应加热退火,使籽晶连续长大获得类单晶纯铜;所述的第二均匀加热区域的温度为900℃~1020℃,退火的移动速度为0.1mm/min~1mm/min。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中第一均匀加热区域的长度为5mm~20mm。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中第一低温辐射区域的温度控制在300℃以下。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(4)中的第二均匀加热区域的长度为5mm~15mm。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(4)中的第二低温辐射区域的温度控制在400℃以下。

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