[发明专利]一种集成RGB三色光的单颗mini led的制作方法

说明书

本发明提供了一种集成RGB三色光的单颗mini led的制作方法，本发明的有益效果在于利用多个正极端子部和多个负极端子部防止电流的过度集中，进而保证电流均匀以及防止过大的发热。并且，在形成第一沟槽和第二沟槽时，其底部与n‑GaN层的下表面距离为h，为了防止电流的集中，h应当大于零，且小于所述n‑GaN层的厚度的一半。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装制造领域，具体涉及一种集成RGB三色光的单颗miniled的制作方法。

背景技术

使用RGB三色mini芯片来制作三合一灯珠会遇到以下几个问题点和不足之处：

1. 三色mini芯片需要分别，依据设定的间距等要求排列到基板的指定位置。这就需要三次巨量转移，同时，需要更高精度、更复杂的设备。

2. 需要针对三合一灯珠中的某个芯片进行返修时，难度比较大，容易影响、损坏旁边靠的很近的芯片。

目前，还有一种制作单颗的RGB三色mini led的方式被使用：先将蓝光(或紫光)芯片巨量转移至基板后，进行围坝黄光制程，再进行喷射打印量子点。这种方式同样存在几个问题：

1. 跨界制程，不方便控制。

2. 无法单颗测试分bin，良率控制差。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种集成RGB三色光的单颗mini led的制作方法，其依次包括以下步骤：

（1）准备一晶圆形式的mini-LED外延片，所述外延片包括从下至上依次设置的p-GaN层、MQWs层、n-GaN层和蓝宝石衬底；所述外延片的下表面包括依次间隔排布的正极和负极，并且所述正极和负极的第一段分别电连接在外延片中的正极电路和负极电路；

（2）在外延片中预切割形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽后续作为切割槽，且将外延片分割为多个集成RGB三色光的单颗mini led；所述第二沟槽将单颗miniLED的RGB三色光进行分隔，使得在每个集成RGB三色光的单颗mini led上具有RGB三种颜色的区域，即R区、G区和B区；

（3）在所述第一沟槽和第二沟槽中填充绝缘材料分别形成第一围堰和第二围堰；所述第一围堰和第二围堰突出于所述外延片的上表面；

（4）在所述第一沟槽和第二沟槽之间填充荧光粉或者量子点；

（5）在发光面上覆盖保护层，并切割进行单体化；

进一步的，所述正极电路的另一端至少包括三个正极端子部，该三个正极端子部均延伸至n-GaN层中；所述负极电路的另一端至少包括三个负极端子部，该三个负极端子部均延伸至MQWs层中。

进一步的，所述第一沟槽和第二沟槽的深度相同，其底部与n-GaN层的下表面距离为h， h大于零且小于所述n-GaN层的厚度的一半。

进一步的，所述荧光粉或者量子点与第一围堰和第二围堰等高。

进一步的，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

本发明的有益效果在于利用多个正极端子部和多个负极端子部防止电流的过度集中，进而保证电流均匀以及防止过大的发热。并且，在形成第一沟槽和第二沟槽时，其底部与n-GaN层的下表面距离为h，为了防止电流的集中，h应当大于零，且小于所述n-GaN层的厚度的一半。

附图说明

图1-5为本发明的本发明的集成RGB三色光的单颗mini led的制作方法的示意图。

图6为切割后的单颗mini LED的（a）电极面图以及（b）发光面图。

具体实施方式