[发明专利]一种高堆叠封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种高堆叠封装结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一第一电路基板，在所述第一电路基板的两侧边缘区域形成第一导电凸块，将第一半导体管芯贴装在所述第一电路基板上，接着在所述第一电路基板上形成第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述第一导电凸块和所述第一半导体管芯，所述第一导电凸块的一部分从所述第一塑封层的侧面露出，接着在所述第一电路基板的背面植球，以形成第一封装组件；

(2)提供一第二电路基板，将第二半导体管芯贴装在所述第二电路基板上，接着在所述第二电路基板上形成第二塑封层，所述第一塑封层包裹所述第二半导体管芯，接着在所述第二电路基板的背面植球，以形成第二封装组件；

(3)提供第三电路基板，在所述第三电路基板的两侧边缘区域形成第二导电凸块，且在所述第三电路基板上形成第三导电凸块，将第三半导体管芯贴装在所述第三电路基板上，接着在所述第三电路基板上形成第三塑封层，所述第三塑封层包裹所述第二导电凸块、所述第三导电凸块和所述第三半导体管芯，所述第二导电凸块的一部分从所述第三塑封层的侧面露出，所述第三导电凸块的一部分从所述第三塑封层的顶面露出，接着在所述第三电路基板的背面植球，以形成第三封装组件；

(4)提供一柔性基板，以所述第一塑封层的顶面朝向所述柔性基板的方式将所述第一封装组件设置在所述柔性基板的中间区域，以所述第二塑封层的顶面朝向所述柔性基板的方式将两个所述第二封装组件分别设置在所述柔性基板的相对的两个侧边区域，接着在所述第一、第二封装组件上设置第一临时承载基板；

(5)接着从所述柔性基板的背面对所述柔性基板的中间区域、所述第一塑封层以及所述第一半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第一半导体管芯中形成多个间隔设置的第一穿孔，其中，位于所述第一半导体管芯的中间区域的所述第一穿孔的深度较浅，而位于所述第一半导体管芯的边缘区域的所述第一穿孔的深度较深；

(6)接着从所述柔性基板的背面对所述柔性基板的相对的两个侧边区域、所述第二塑封层以及所述第二半导体管芯进行刻蚀处理，以在所述第二半导体管芯中形成多个间隔设置的第二穿孔，其中，位于所述第二半导体管芯的中间区域的所述第二穿孔的深度较浅，而位于所述第二半导体管芯的边缘区域的所述第二穿孔的深度较深；

(7)接着在所述第一穿孔和所述第二穿孔中沉积金属材料以分别形成第一金属柱和第二金属柱；

(8)接在所述柔性基板的底面设置第二临时承载基板，接着去除所述第一临时承载基板，接着在所述第一封装组件上设置所述第三封装组件，并使得所述第一封装组件的焊球直接接触所述第三封装组件的所述第三导电凸块，接着将所述柔性基板的相对的两个侧边区域向上弯折，使得每个所述第二封装组件均贴装至所述第一封装组件的侧壁和所述第三封装组件的侧壁，并使得每个所述第二封装组件均电连接至所述第一、第三封装组件；

(9)提供一线路基板，将所述第三封装组件电连接至所述线路基板，接着去除所述第二临时承载基板。

2.根据权利要求1所述的高堆叠封装结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，在所述第一电路基板上形成第一光刻胶掩膜，所述第一光刻胶掩膜预留有开口，接着在所述开口中以及在所述第一光刻胶掩膜的上表面沉积导电材料以形成第一导电层，接着对所述第一导电层进行图案化处理，接着去除所述第一光刻胶掩膜，以形成型的所述第一导电凸块。

3.根据权利要求1所述的高堆叠封装结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，在所述第三电路基板上形成第二光刻胶掩膜，在所述第二光刻胶掩膜中形成第一开口，在所述第一开口中沉积到导电材料以形成所述第三导电凸块，接着对所述第二光刻胶掩膜的一部分进行减薄处理以形成第三光刻胶掩膜，在所述第三光刻胶掩膜中形成第二开口，接着在所述第二开口中以及所述第三光刻胶掩膜的上表面的一部分形成第二导电层，接着对所述第二导电层进行图案化处理，接着去除所述第三光刻胶掩膜，以形成型的所述第二导电凸块。

4.根据权利要求1所述的高堆叠封装结构的形成方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述柔性基板为聚酰亚胺基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、聚苯醚砜基板、热塑性聚氨酯基板、聚碳酸酯基板、环氧树脂基板、苯酚树脂基板中的一种，所述第一临时承载基板是不锈钢基板、铜基板、铁基板、陶瓷基板中的一种。