[发明专利]一种电子元件的制备方法及电子元件在审
| 申请号: | 202010948297.X | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN112071753A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 王一鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市槟城电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/56;H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 518116 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电子元件 制备 方法 | ||
本发明公开了一种电子元件的制备方法及电子元件。该电子元件的制备方法包括以下步骤:提供基片;所述基片包括PN结;采用划片工艺对所述基片的PN结进行图案化,以在所述基片上形成凹槽,所述凹槽构成所述电子元件的膜层形状或电路结构。本发明可以简化电子元件制备的工艺流程、使制备更环保并且降低对环境的洁净度要求,并且可以提高电子元件的击穿电压。
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种电子元件的制备方法及电子元件。
背景技术
电子元件产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业。电子元件在计算机、网络通信与汽车电子等领域都起着关键作用。电子元件的制备方法关系到电子元件的性能,因此需要进行制备工艺的研究。
目前,电子元件的图案化工艺是其制备过程中的关键技术,通常都是采用光刻工艺来实现。但是光刻工艺步骤复杂,一般需要采用来片表面处理、涂胶、前烘、对位、曝光、显影、坚膜、刻蚀和去胶等繁琐的步骤。并且在光刻工艺的步骤中还会产生废液、废胶等废料,容易造成环境污染;以及光刻工艺对制备环境的洁净度要求很高。由此可见,现有的电子元件制备方法存在工艺流程多、容易造成环境污染和对环境洁净度要求高的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种电子元件的制备方法及电子元件,以简化电子元件制备的工艺流程、使制备更环保并且降低对环境的洁净度要求。
第一方面,本发明实施例提供了一种电子元件的制备方法,所述电子元件的制备方法包括:
提供基片;所述基片包括PN结;
采用划片工艺对所述基片的PN结进行图案化,以在所述基片上形成凹槽,所述凹槽构成所述电子元件的膜层形状或电路结构。
可选地,在所述采用划片工艺对所述基片的PN结进行图案化之前,还包括:在所述基片上形成对位标记。
可选地,在所述基片上形成对位标记,包括:
采用激光刻号对位的方式,在所述基片上形成对位标记。
可选地,在所述基片上形成对位标记,包括:
采用激光刻号对位的方式,在所述基片的上表面形成上对位标记,在所述基片的下表面形成下对位标记;
其中,所述上对位标记和所述下对位标记的位置对应。
可选地,在所述采用划片工艺对所述基片的PN结进行图案化之后,还包括:采用台面腐蚀工艺对所述凹槽进行腐蚀。
可选地,所述台面腐蚀工艺包括:
干法腐蚀工艺或湿法腐蚀工艺。
可选地,在采用台面腐蚀工艺对所述凹槽进行腐蚀之后,还包括:
采用钝化工艺对所述腐蚀凹槽进行钝化处理。
可选地,所述钝化工艺包括:
在所述腐蚀凹槽表面涂抹玻璃粉。
可选地,在采用钝化工艺对所述腐蚀凹槽进行钝化处理之后,还包括:
对所述钝化处理后的基片进行腐蚀处理;
对所述腐蚀处理后的基片进行表面金属化处理;
对所述表面金属化处理后的基片进行电性测试;
对所述电性测试后的基片进行切割,以得到单片芯片。
可选地,所述划片工艺包括:
砂轮划片工艺、激光划片工艺或金刚石划片工艺。
可选地,所述电子元件为半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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