[发明专利]一种低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：选择钽靶和二氧化硅靶作为离子束溅射沉积靶材；

S2：采用双离子束溅射沉积技术，选择不同制备工艺参数，在不同基底上制备Ta₂O₅和SiO₂薄膜；

S3：采用分光光度计测量Ta₂O₅和SiO₂薄膜样品的可见光-近红外波段透射光谱，基于透射光谱的反演方法，计算Ta₂O₅和SiO₂薄膜的折射率和消光系数；

S4：采用光热偏转法，测量Ta₂O₅和SiO₂薄膜的吸收损耗；

S5：采用基于Stoney公式的应力计算方法，获得Ta₂O₅和SiO₂薄膜的应力；

S6：获得低应力低吸收Ta₂O₅和SiO₂薄膜。

2.如权利要求1所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，选择钽靶和二氧化硅靶作为离子束溅射沉积靶材，选择熔融石英、硅作为Ta₂O₅和SiO₂薄膜的沉积基底。

3.如权利要求2所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，选择镀膜真空室本体真空度为m×10^-6Torr，1≤m≤50，主离子源工作参数：工作电压为U₁，900V≤U₁≤1500V，工作电流为I₁，300mA≤I₁≤900mA；辅助离子源工作参数：工作电压为U₂，300V≤U₂≤1500V，工作电流为I₂，100mA≤I₂≤400mA，氧气流量为X，0sccm≤X≤20sccm，氩气流量为Y，0sccm≤Y≤20sccm；选择不同制备工艺参数，在熔融石英、硅基底上制备Ta₂O₅和SiO₂薄膜。

4.如权利要求3所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用基于光热偏转法的弱吸收测量仪，测量Ta₂O₅和SiO₂薄膜的吸收损耗。

5.如权利要求4所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，采用白光干涉仪，测量单面石英基底镀膜前后的面形，采用基于Stoney公式的应力计算方法，获得Ta₂O₅和SiO₂薄膜的应力。

6.如权利要求5所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，选择钽靶和二氧化硅靶作为离子束溅射沉积靶材，选择熔融石英基底作为Ta₂O₅和SiO₂薄膜的沉积基底。

7.如权利要求6所述的低应力低吸收氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，选择镀膜真空室本体真空度为8×10^-6Torr。