[发明专利]含萘结构的杂蒽衍生物有机电致发光材料及制备方法与应用有效
| 申请号： | 202010947156.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112047918B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 汪康;张雪;孙向南;敖日斯楞;徐佳楠;金成寿;马晓宇 | 申请（专利权）人： | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D311/78 | 分类号： | C07D311/78;C07D405/10;C07D409/10;C07D407/12;C07D335/04;C07D409/12;C07D327/06;C07D339/08;C07D319/14;C07D265/34;C07D279/14;C07F7/08;C07D345/00 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 唐盼 |
| 地址： | 130000 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 衍生物 有机 电致发光 材料 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.含萘结构的杂蒽衍生物有机电致发光材料，其特征在于，该发光材料选自下述结构中的任意一个：
2.权利要求1所述含萘结构的杂蒽衍生物有机电致发光材料作为发光辅助层在制作有机电致发光器件领域的应用。
3.一种有机电致发光器件，其结构包括从下而上依次叠加的ITO玻璃基板、空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，所述发光辅助层中包含权利要求1中所述的有机电致发光材料。
4.根据权利要求3所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层是厚度为45nm的化合物mCP与F4-TCNQ，所述mCP与F4-TCNQ掺杂比为97:3；所述空穴传输层是厚度为50nm的化合物mCP，所述发光辅助层是厚度为20nm的权利要求1中所述的有机电致发光材料；所述发光层是厚度为20nm的主体材料CBP和掺杂材料(btfmp)2Ir(acac)，主体材料和掺杂材料的重量比为95:5；所述空穴阻挡层是厚度为10nm的BAlq；所述电子传输层是厚度为40nm的Alq3；所述电子注入层是厚度为0.5nm氟化锂；
上述原料的化学结构式如下所示：
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