[发明专利]一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺

权利要求书

1.一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(a)、提供第一硅片，在第一硅片上沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上沉积第一金属层；

(b)、在第一金属层上两端均设置第一凸起，两个第一凸起之间设置第二凸起，每个第一凸起和第二凸起之间均留有空隙，在每个所述空隙内设置第一互联柱，将第一凸起和第二凸起去除，得到第二硅片；

(c)、在第二硅片上覆盖光刻胶，之后将第一互联柱上的光刻胶去除，然后硬烤成膜形成第一介质胶层，重复步骤(c)中涂胶、光刻、硬烤的步骤，直至第一介质胶层的厚度达到10～100μm，得到第三硅片；

(d)、去除第三硅片中第一介质胶层和第一互联柱的不平整，得到第四硅片；

(e)、在第四硅片上沉积第一种子层，在第一种子层上通过光刻形成两个第三凸起，在第一种子层上沉积第二金属层，去除第一种子层和第三凸起，得到第一传输线结构。

2.如权利要求1所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(e)之后还包括步骤(f)、步骤(g)、步骤(h)和步骤(I)，所述步骤(f)、步骤(g)、步骤(h)和步骤(I)具体为：

(f)、在第一传输线结构上沉积第二种子层，在第二种子层上两端均设置第四凸起，两个第四凸起之间设置第五凸起，每个第四凸起和第五凸起之间均留有空隙，在每个所述空隙内设置第二互联柱，将第四凸起、第五凸起和第二种子层去除，得到第二传输线结构；

(g)、在第二传输线结构上覆盖光刻胶，之后将第二互联柱上的光刻胶去除，然后硬烤成膜形成第二介质胶层，重复步骤(g)中涂胶、光刻、硬烤的步骤，直至第二介质胶层的厚度达到10～100μm，得到第三传输线结构；

(h)、去除第三传输线结构中第二介质胶和第二互联柱的不平整，得到第四传输线结构；

(I)、在第四传输线结构上沉积第三金属层，得到第五传输线结构。

3.如权利要求1所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(a)的第一绝缘层材料为氮化硅或氧化硅。

4.如权利要求1所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(a)第一金属层的材料为铜、钛、金、银的一种或多种。

5.如权利要求1所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(b)第一凸起、第二凸起、第三凸起的材料为正胶、负胶、干膜光刻胶、电镀光刻胶、刻蚀光刻胶的一种，所述步骤(c)第一互联柱的材料为金、银、铜、钛、锡的一种或多种。

6.如权利要求1所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(e)的第一种子层材料为铜、钛、金、银的一种或者多种。

7.如权利要求2所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(f)第四凸起、第五凸起的材料为正胶、负胶、干膜光刻胶、电镀光刻胶、刻蚀光刻胶的一种，所述步骤(f)第二互联柱的材料为金、银、铜、钛、锡的一种或多种。

8.如权利要求2所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(f)的第二种子层材料为铜、钛、金、银的一种或者多种。

9.如权利要求2所述的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，其特征在于，所述步骤(I)第三金属层的材料为钛、铜、金、银、锡、镍的一种或多种。