[发明专利]一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置

权利要求书

1.一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，采用多晶硅刻蚀剂对多晶硅进行湿法刻蚀形成无多晶硅残留的沟槽，所述多晶硅刻蚀剂中含有异丙醇。

2.根据权利要求1所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，所述多晶硅刻蚀剂还含有碱液，所述碱液为氨水或四甲基氢氧化铵，所述碱液采用去离子水稀释。

3.根据权利要求2所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，所述碱液、异丙醇和去离子水分别加入化学药品混合罐中混合均匀后进入刻蚀剂供给线。

4.根据权利要求2所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，所述碱液和去离子水加入化学药品混合罐中混合均匀后进入蚀刻剂供给线，在刻蚀剂供给线中加入异丙醇。

5.根据权利要求3或4所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，化学药品混合罐中的药品经过循环泵依次进入加热器和过滤器后循环至化学药品混合罐。

6.根据权利要求2所述的所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，碱液与去离子水的体积比为1：2～1：10；异丙醇体积为碱液和水的混合液体积的0.5％～5％。

7.根据权利要求2所述的所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，所述刻蚀剂的刻蚀温度为30～80℃。

8.根据权利要求2所述的所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，刻蚀剂流量为600～2500ml/min。

9.一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的装置，其特征在于，包括化学药品混合罐、药品供给线、药品加热过滤循环管线和刻蚀剂供给线；

化学药品混合罐上部设置有全部或部分药品供给线；

化学药品混合罐一侧设置有药品加热过滤循环管线；用于对多晶硅刻蚀剂所需的化学药品进行加热和过滤处理；沿循环方向，药品加热过滤循环管线上依次设置有循环泵、加热器和过滤器；

化学药品混合罐底部设置有刻蚀剂供给线，用于供给刻蚀剂；化学药品混合罐上部设置有部分药品供给线时，其余药品供给线设置在刻蚀剂供给线上。

10.根据权利要求9所述的后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的装置，其特征在于，所述药品供给线包括去离子水供给线、碱液供给线和异丙醇供给线；

去离子水供给线、碱液供给线和异丙醇供给线分别设置在化学药品混合罐上部；

或去离子水供给线和碱液供给线分别设置在化学药品混合罐上部，异丙醇供给线设置在刻蚀剂供给线上。