[发明专利]一种抗辐照双栅LDMOS器件结构在审
| 申请号： | 202010942729.6 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111987152A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 方健;马红跃;黎明;雷一博;卜宁;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 ldmos 器件 结构 | ||
1.一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的P型衬底(1)；P衬底(1)左上方的P阱(2)；P衬底(1)右上方的N型漂移区(12)；P阱内左上方的源区P+注入(4)；位于源区P+注入(4)的右侧源区N+注入(3)；位于源区N+注入(3)的右侧的N+注入(5)；位于P阱(2)上方，N+注入(3)和N+注入(5)之间的薄栅氧化层(6)；位于薄栅氧化层(6)上方的NMOS多晶硅(7)；位于P阱(2)和N型漂移区(12)之上的LDMOS厚栅氧化层(8)；位于LDMOS厚栅氧化层(8)上方的LDMOS多晶硅(9)；位于N型漂移区(12)上方的LDMOS场氧化层(10)；位于N型漂移区(12)右上方的漏极N+注入(11)，LDMOS厚栅氧化层(8)的厚度大于薄栅氧化层(6)。
2.根据权利要求1所述的抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于：器件结构的电路包括NMOS管(13)、LDMOS管(14)、分压电阻R1以及R2，电路连接为NMOS(13)的源极S1和电阻R1的左端共同连接到地，NMOS(13)的栅极G1连接到电阻R1的右端，同时连接到电阻R2的左端；LDMOS(14)的源极S2连接NMOS的漏极D1,漏极D2连接到电源电压VDD，栅极G2连接电阻R2的右端同时连接到输入端口VG2。
3.根据权利要求1或2所述的抗辐照双栅LDMOS器件结构，其特征在于：在源区N+注入的上方添加一层二氧化硅以及多晶硅，在源区形成的NMOS构成本发明的LDMOS，在辐照后，关态时虽然LDMOS是开启的，但在源区形成的NMOS是关态的，保证了在辐照后产生的泄漏电流不会直接从漏极(11)流向源极(3)，采用poly电阻来作为NMOS栅极和LDMOS栅极的偏置电压，保证器件的正常开关特性以及电学特性。
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