[发明专利]一种硅基微腔窄带近红外光电探测器

权利要求书

1.一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，其特征在于：所述硅基微腔窄带近红外光电探测器是以单晶硅衬底（2）作为基底，所述单晶硅衬底（2）的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构，在硅微孔阵列上设置有上绝缘层（1）；在所述单晶硅衬底（2）的下表面转移有一层石墨烯薄膜（3），形成石墨烯-硅肖特基异质结；在所述石墨烯薄膜（3）下表面设置有下绝缘层（4）；在所述下绝缘层（4）的下表面设置有金属反射层（5）；

在所述单晶硅衬底（2）的上表面设置有顶电极（6），在所述石墨烯薄膜（3）的下表面设置有底电极（7），所述顶电极（6）与所述单晶硅衬底（2）形成欧姆接触，所述底电极（7）与所述石墨烯薄膜（3）形成欧姆接触；

所述上绝缘层（1）的材料为SiO₂或Al₂O₃，所述上绝缘层（1）的厚度为10-100 nm；所述下绝缘层（4）的材料为SiO₂或Al₂O₃，所述下绝缘层（4）的厚度为10-100 nm；

所述单晶硅衬底（2）的厚度为100-500 μm；所述硅微孔直径为10-100 μm，深度为5-20μm，相邻硅微孔的间距为10- 300 μm；

所述金属反射层（5）的材料为Al；所述金属反射层（5）的厚度为50-1000 μm。

2.根据权利要求1所述的硅基微腔窄带近红外光电探测器，其特征在于：所述石墨烯薄膜（3）为单层或多层石墨烯。

3.根据权利要求1所述的硅基微腔窄带近红外光电探测器，其特征在于：所述顶电极（6）为In/Ga电极；所述顶电极（6）的厚度为40-100 nm。

4.根据权利要求1所述的硅基微腔窄带近红外光电探测器，其特征在于：所述底电极（7）为In/Ga电极；所述底电极（7）的厚度为40-100 nm。