[发明专利]MO源管路及其清洗方法

说明书

本申请涉及一种MO源管路的清洗方法。该MO源管路包括分别与MO源钢瓶连接的MO进气管路和MO出气管路，MO进气管路经由第一常闭气动阀与载气入口连通，MO出气管路经由第二常闭气动阀与载气入口连通，第一常闭气动阀的进气口和第二常闭气动阀的出气口之间连接有常开气动阀，且MO进气管路和MO出气管路分别与MO真空管连接。该清洗方法包括以下步骤。关闭连接在MO源钢瓶和MO进气管路之间的MO进气手阀以及连接在MO源钢瓶和MO出气管路之间的MO出气手阀。用连通气管短接常开气动阀。向载气入口通入第一清洗气体并利用第一清洗气体清洗MO源管路。更换MO源钢瓶，当MO源管路的漏率满足预设条件时，再次清洗MO源管路，然后移除连通气管。

技术领域

本发明涉及半导体制备的技术领域，尤其涉及一种MO源管路及其清洗方法。

背景技术

金属有机化合物气相沉积(MOCVD，Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术在半导体材料、半导体器件、以及半导体薄膜等制备过程中取得了巨大的成功。在沉积过程所使用的MO源(Metalorganic Source)(金属有机化合物)封装于密闭容器中，随着沉积过程的进行，MO源不断被消耗。当密闭容器中的源体减少至一定值后需要对该源体进行更换并对管路进行清洗。在长时间多次使用MO源管路之后，现有的更换MO源并清洗管路的方法存在以下缺陷。由于MO真空管和不同MO源的清洗管路之间的残余杂质的互扩散，以及拆卸源瓶时空气及其他杂质的进入，导致清洗管路的管壁洁净度变差，进而影响到工艺的稳定性。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种MO源管路及其清洗方法，以增强清洗效果，保证工艺的稳定性。

根据本申请第一方面，提供了一种MO源管路的清洗方法。该MO源管路包括分别与MO源钢瓶连接的MO进气管路和MO出气管路，MO进气管路经由第一常闭气动阀与载气入口连通，MO出气管路经由第二常闭气动阀与载气入口连通，第一常闭气动阀的进气口和第二常闭气动阀的出气口之间连接有常开气动阀，且MO进气管路和MO出气管路分别与MO真空管连接。其中，该清洗方法包括以下步骤。关闭连接在MO源钢瓶和MO进气管路之间的MO进气手阀以及连接在MO源钢瓶和MO出气管路之间的MO出气手阀。用连通气管短接常开气动阀，使得常开气动阀处于连通状态。向载气入口通入第一清洗气体并利用第一清洗气体清洗MO源管路。更换MO源钢瓶，然后检测MO源管路的漏率是否满足预设条件。当MO源管路的漏率满足预设条件时，再次清洗MO源管路，然后移除将常开气动阀短接的连通气管。

根据本申请的一实施方式，向载气入口通入第一清洗气体并利用第一清洗气体清洗MO源管路包括以下步骤。向载气入口通入第一清洗气体，MO进气管路和MO出气管路与MO真空管之间不连通，使得第一清洗气体到达第一常闭气动阀、常开气动阀、和第二常闭气动阀，并充满MO进气管路和MO出气管路。断开第一常闭气动阀和第二常闭气动阀，将MO进气管路和MO出气管路分别与MO真空管连通，并将MO进气管路和MO出气管路中的第一清洗气体和残余MO蒸气经由MO真空管排出。

根据本申请的一实施方式，向载气入口通入第一清洗气体并利用第一清洗气体清洗MO源管路之后，且在更换MO源钢瓶并检测MO源管路的漏率是否满足预设条件之前，上述清洗方法还包括以下步骤。停止通入第一清洗气体。向载气入口通入第二清洗气体并利用第二清洗气体清洗MO源管路。

根据本申请的一实施方式，向载气入口通入第二清洗气体并利用第二清洗气体清洗MO源管路包括以下步骤。向载气入口通入第二清洗气体，MO进气管路和MO出气管路分别与MO真空管之间不连通，使得第二清洗气体到达第一常闭气动阀、常开气动阀、和第二常闭气动阀，并充满MO进气管路和MO出气管路。断开第一常闭气动阀和第二常闭气动阀，将MO进气管路和MO出气管路分别与MO真空管连通，并将MO进气管路和MO出气管路中的第二清洗气体和其他的残余MO蒸气经由MO真空管排出。