[发明专利]耐弯折铜箔及其制备方法和FPC挠性电路板

权利要求书

1.一种耐弯折铜箔，其特征在于，包括：单晶耐弯折铜箔或大晶畴耐弯折铜箔；

其中，所述单晶耐弯折铜箔为：在200*200mm或250*300mm的范围内没有晶界存在，只有唯一晶畴且所述晶畴的尺寸不小于200*200mm；

所述大晶畴耐弯折铜箔由大晶畴铜箔进行电镀铜和/或压延处理后获得；

其中，所述大晶畴铜箔为：在200*200mm范围内存在一个以上的晶畴或存在一个以上的晶界，且200*200mm范围内的晶畴个数＜500个；

其中，所述大晶畴铜箔以及所述单晶耐弯折铜箔由高温退火法制得后筛选所得，所述高温退火法包括：将压延铜箔平置于耐高温衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体和H₂升温，其中惰性气体流量为300-500sccm，H₂流量为20-50sccm；温度升至800-1100℃时，通入H²进行退火，此时H₂流量为2-500sccm。

2.根据权利要求1所述的耐弯折铜箔，其特征在于，所述耐弯折铜箔的厚度为6-200μm。

3.一种如权利要求1-2任意一项所述的耐弯折铜箔的制备方法，其特征在于，包括：

对所述大晶畴铜箔进行电镀铜和/或压延处理后获得所述大晶畴耐弯折铜箔。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述大晶畴铜箔进行电镀铜和压延处理的步骤包括：

对所述大晶畴铜箔先进行压延处理，然后进行电镀铜处理。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述大晶畴铜箔的厚度15-75μm。

6.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述电镀铜的步骤包括：采用电镀方式在所述大晶畴铜箔的表面形成电镀铜层，所述电镀铜层的厚度为0.1-1μm。

7.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述压延处理的步骤包括：辊压所述大晶畴铜箔，至所述大晶畴铜箔的厚度减少20-50％为止。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述压延处理的步骤包括：将所述大晶畴铜箔在辊压之前，在300-1000℃退火。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述大晶畴铜箔的数量为至少两层，所述至少两层大晶畴铜箔叠合布置并进行退火、辊压。

10.一种FPC挠性电路板，其特征在于，包括如权利要求1-2任意一项所述的耐弯折铜箔。