[发明专利]一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺

权利要求书

1.一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，其特征在于：包括有以下步骤：

第一步：利用MOCVD在InP衬底上依次生长N型InP金属接触层、吸收层In_0.53Ga_0.47As、帽层N型InP、牺牲层InGaAs，形成外延结构；

第二步：用湿法去除牺牲层InGaAs，然后在帽层N型InP上沉积第一层氮化硅，形成钝化层，为第一道光刻做准备；

第三步：进行第一道光刻开孔，干法刻蚀第一层氮化硅，进行锌扩散，形成P型掺杂；

第四步：沉积第二层氮化硅，做第二道光刻开孔，干法刻蚀氮化硅，形成欧姆孔，为蒸镀P型金属做准备；

第五步：做第三道光刻开孔，蒸镀P型金属并剥离，为形成P型欧姆接触做准备；

第六步：做第四道光刻，干法刻蚀第一层和第二层的氮化硅，湿法刻蚀帽层N型InP，为刻蚀吸收层In_0.53Ga_0.47As做准备；

第七步：做第五道光刻，湿法刻蚀吸收层In_0.53Ga_0.47As，蒸镀N型金属并剥离，为形成N型欧姆接触做准备；

第八步：进行P型金属和N型金属退火，使P型金属和N型金属形成欧姆接触；

第九步：做第六道光刻开孔，蒸镀Ti/Au并剥离，形成Ti/Au反射层；

第十步：沉积第四层氮化硅，做第七道光刻，干法刻蚀掉盖在P型金属和N型金属上的第四层氮化硅，为蒸镀铟柱做准备；

第十一步：减薄、抛光InP衬底，并在抛光后的InP衬底上沉积增透膜，增加光的透射率；

第十二步：做第八道光刻，蒸镀铟柱并剥离，形成二极管阵列，为倒装焊互联做准备；

第十三步：二极管阵列与读出电路进行倒装互联，形成InGaAs红外焦平面探测器芯片；截面上Ti/Au反射层的上侧、下侧以及其与P型金属和P型金属上的铟柱之间均有氮化硅。