[发明专利]一种适用于夹持升降加热的输送平台有效
| 申请号: | 202010936288.9 | 申请日: | 2020-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN112224841B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
| 发明(设计)人: | 童中志;花富春;谢骏;钱龙;唐韦韦 | 申请(专利权)人: | 铜陵富博科技有限公司 |
| 主分类号: | B65G47/74 | 分类号: | B65G47/74 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 244000 安徽省铜陵市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 夹持 升降 加热 输送 平台 | ||
本发明公开一种适用于夹持升降加热的输送平台,输送平台包括升降组件,所述升降组件包括输送基板,输送基板上方设有水平升降基板,水平升降基板上设有加热装置,加热装置上设有定位支板,定位支板上一侧设有限位块,定位支板上另一侧设有气动夹持装置,定位支板上还设有船工装夹具。本发明运行平稳可靠、结构设计合理、使用简便可行,输送平台能够实现料盘的定位、料盘的加热、料盘的搬运、料盘的升降,集成度高,夹紧效果好、定位准确,定位组件能够检测是否有船工装夹具,气动夹持装置推动船工装夹具进行对中,并与一端设有的定位销相互配合使船工装夹具定位更加准确。
技术领域
本发明涉及一种IGBT生产领域,具体是一种适用于夹持升降加热的输送平台。
背景技术
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT在输送过程中对温度、稳定性要求较高,现有的一些IGBT输送平台功能少、定位效果差,易对IGBT造成损伤,针对这种情况,现提出一种适用于夹持升降加热的输送平台。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于夹持升降加热的输送平台,输送平台运行平稳可靠、结构设计合理、使用简便可行,输送平台能够实现料盘的定位、料盘的加热、料盘的搬运、料盘的升降,集成度高,夹紧效果好、定位准确,定位组件能够检测是否有船工装夹具,气动夹持装置推动船工装夹具进行对中,并与一端设有的定位销相互配合使船工装夹具定位更加准确。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种适用于夹持升降加热的输送平台,输送平台包括升降组件,所述升降组件包括输送基板,输送基板上方设有水平升降基板,水平升降基板上设有加热装置,加热装置上设有定位支板,定位支板上一侧设有限位块,定位支板上另一侧设有气动夹持装置,定位支板上还设有船工装夹具。
进一步地,所述输送基板上设有第一开槽,输送基板一侧设有移动夹块,输送基板下设有阵列分布的第一滑块,输送基板一侧设有第二开槽,第二开槽上设有升降靠板,升降靠板一侧设有加强筋,加强筋同样固定在第二开槽上,升降靠板另一侧设有阵列分布的第二滑轨,第二滑轨上均设有阵列分布的第二滑块,第二滑块与第二滑轨滑动配合,输送基板上还设有电机角座,电机角座下设有阵列分布的第三开槽,紧固件穿过第三开槽将电机角座固定在输送基板上,电机角座一侧设有电机,电机一端设有齿轮;
进一步地,所述阵列分布的第二滑块上共同设有升降滑板,升降滑板上设有阵列分布的第一沉头开孔,紧固件穿过第一沉头开孔将升降滑板与第二滑块固定连接,升降滑板上设有水平升降基板,水平升降基板上设有阵列分布的第一螺纹孔,水平升降基板下设有阵列分布的角撑,升降滑板一侧设有齿条,齿条与升降滑板固定配合,齿轮与齿条齿合带动水平升降基板上下移动。
进一步地,所述加热装置包括升降隔热板,升降隔热板上设有升降加热板,升降加热板内设有阵列分布的第四开槽,第四开槽内均设有加热棒,升降加热板上设有阵列分布的第二沉头开孔与阵列分布的第二螺纹孔,紧固件穿过第二沉头开孔固定在第一螺纹孔内,使升降隔热板与升降加热板固定在水平升降基板上。
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