[发明专利]声表面波传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种声表面波传感器，其特征在于，包括：

压电衬底；

第一压电换能器，设置于所述压电衬底的表面；

第二压电换能器，设置于所述压电衬底的表面，且与所述第一压电换能器同层隔离设置；

分子印迹膜，设置所述第一压电换能器与所述第二压电换能器之间。

2.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述第一压电换能器和/或所述第二压电换能器为叉指换能器。

3.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述分子印迹膜中设有若干以色氨酸分子为模板分子的空穴。

4.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述叉指换能器包括N对叉指电极对，N为20～200中的任一整数。

5.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述叉指换能器的叉指宽度为1-50微米；

所述叉指换能器的指条间距为1-50微米。

6.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述压电衬底为压电单晶或压电薄膜。

7.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述叉指换能器电极为Al膜或Au膜，厚度范围为100nm-200nm。

8.一种声表面波传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在压电衬底表面上同层隔离设置第一压电换能器和第二压电换能器；

在所述第一压电换能器与所述第二压电换能器之间设置分子印迹膜。

9.根据权利要求8所述的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，所述设置第一压电换能器和第二压电换能器，具体为：

通过在所述压电衬底表面沉积金属层，并对所述金属层进行图案化以制作所述第一压电换能器和所述第二压电换能器；

所述第一压电换能器和/或所述第二压电换能器为叉指换能器。

10.根据权利要求8所述的声表面波传感器的制作方法，其特征在于，在所述第一压电换能器与所述第二压电换能器之间设置分子印迹膜，包括：

将色氨酸与甲基丙烯酸溶于二甲基亚砜溶液中，并加入二甲基丙烯酸乙二醇酯和偶氮二异丁腈，进行密封恒温处理以获取含有色氨酸的膜积液；

利用滴涂法将所述膜积液涂敷于所述第一压电换能器与所述第二压电换能器之间的感应区域以制作所述分子印迹膜；

通过洗脱液洗脱所述分子印迹膜中的色氨酸，以在所述分子印迹膜中制作以色氨酸为模板分子的空穴。