[发明专利]二恶英类化合物及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010931127.0 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN112010866A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 高荣荣;张东旭 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C07D493/04 分类号: C07D493/04;C07D495/04;C07F9/6561;H01L51/54;H01L51/50
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 戴冬瑾
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 二恶英 化合物 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种二恶英类化合物,其特征在于,所述二恶英类化合物的通式为:

其中,X为O、S或NR,R、R1、R2、R3各自独立的为氢、氘、卤素、氰基、硝基、C1~C40的烷基、C2~C40的烯基、C2~C40的炔基、C3~C40的环烷基、C3~C40的杂环烷基、C6~C60的芳基、C5~C60的杂芳基、C1~C40的烷氧基、C6~C60的芳氧基、C3~C40的烷基甲硅烷基、C6~C60的芳基甲硅烷基、C1~C40的烷基硼基、C6~C60的芳基硼基、C6~C60的芳基亚膦基、C6~C60的单或二芳基膦基或C6~C60的芳基胺基;

L表示直接键合,或L为取代或未取代的C6~C60亚芳基,或L为包含有第一杂原子的C2~C60的杂芳基,

A的通式为

其中,Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取代的芳基、苯基、联苯基或含有第二杂原子的杂环基,B为O、S或Se;

X1、X2和X3为分别C或N且至少之一为N,R4、R5和R6各自独立的为C5~C30的芳族或杂芳族环体系。

2.根据权利要求1所述的二恶英类化合物,其特征在于,R4、R5和R6中的至少之一可被R3取代。

3.根据权利要求1所述的二恶英类化合物,其特征在于,所述第一杂原子为N、O、S和Si中的至少之一。

4.根据权利要求1所述的二恶英类化合物,其特征在于,所述第二杂原子为N、O和S中的至少之一。

5.根据权利要求1所述的二恶英类化合物,其特征在于,R4、R5和R6中的至少之一含有第三杂原子,第三杂原子为N、S和B中的至少之一。

6.根据权利要求5所述的二恶英类化合物,其特征在于,键合到同一所述第三杂原子上的第一基团和第二基团通过单键连接,或所述第一基团和所述第二基团通过B(R3)、C(R3)2、Si(R3)2、C=O、C=NR3、C=C(R3)2、O、S、S=O、SO2、N(R3)、P(R3)或P(=O)R3的桥连连接。

7.根据权利要求6所述的二恶英类化合物,其特征在于,所述第一基团和所述第二基团各自独立的为苯基、芳基或烷基。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的二恶英类化合物,其特征在于,所述二恶英类化合物可为

9.一种权利要求1-8中任一项所述的二恶英类化合物的制备方法,其特征在于,包括:

与中间物反应得到所述二恶英类化合物。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,制备所述二恶英类化合物的步骤为:

11.一种电子传输层,其特征在于,包括1-8中任一项所述的二恶英类化合物。

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