[发明专利]存储器控制器及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202010930727.5 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN113342566A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 张宰润;朴晶洙 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵永莉;李青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 及其 操作方法
【说明书】:

本公开包括一种存储器控制器及其操作方法。控制存储器装置的操作的存储器控制器包括奇偶校验模块,被配置成使用待存储在存储器装置中的数据执行一个或多个异或运算,并根据一个或多个异或运算生成奇偶校验;以及恢复控制器,被配置成基于执行异或运算的次数来控制奇偶校验模块将奇偶校验存储在存储器装置中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月3日提交的申请号为10-2020-0026650的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子装置,更具体地,涉及一种存储器控制器及其操作方法。

背景技术

存储装置存储数据。存储装置包括其中存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体实施存储器装置。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

在易失性存储器装置中,当其电源被切断时所存储的数据丢失。易失性存储器装置的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。

即使其电源被切断,非易失性存储器装置也保留所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪速存储器具有NOR型或NAND型。

存储器装置可包括奇偶校验,当在读取数据中出现错误时,奇偶校验用于恢复数据。

发明内容

本公开的实施例提供一种具有改善的性能的存储器控制器及其操作方法。

根据本公开的实施例的存储器控制器控制存储器装置的操作。该存储器控制器包括奇偶校验模块,被配置成使用待存储在存储器装置中的数据执行一个或多个异或运算,并根据一个或多个异或运算生成奇偶校验;以及恢复控制器,被配置成基于执行异或运算的次数来控制奇偶校验模块将奇偶校验存储在存储器装置中。

根据本公开的实施例的存储器控制器控制存储器装置的操作。该存储器控制器包括奇偶校验模块,被配置成使用待存储在存储器装置中的数据执行阈值次数的异或运算,并根据异或运算生成奇偶校验;以及恢复控制器,被配置成控制奇偶校验模块在数据存储完成之前将奇偶校验存储在存储器装置中。

根据本公开的实施例的存储装置包括存储器装置,该存储器装置包括多个存储器单元以及存储器控制器,该存储器控制器被配置成使用待存储在存储器装置中的数据执行至少一次异或运算,并基于已执行异或运算的次数将根据异或运算生成的奇偶校验提供给存储器装置。

根据本公开的实施例的存储器控制器的操作方法包括:在一组数据单元的当前数据单元和先前的子奇偶校验单元之间执行按位XOR运算,以生成当前子奇偶校验单元;在对该组进行缓冲的同时,对该组中的其它数据单元中的每一个的执行迭代;一旦迭代完成,控制存储器装置将当前子奇偶校验单元存储在奇偶校验区域中;并在存储当前子奇偶校验单元之后,控制存储器装置将缓冲后的组存储在数据区域中。

根据本技术的实施例,存储器系统的数据恢复功能可以得到改善。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。

图2A是示出存储器装置的一方面的示图。

图2B是示出使用奇偶校验来恢复数据的方法的示图。

图2C是示出数据块和奇偶校验被存储在存储器装置中的操作的示图。

图3是示出根据实施例的存储器控制器的框图。

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