[发明专利]一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010929663.7 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114156346A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;杨昱辉;江弘胜;肖一鸣;董文浩 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/329;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/203 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 殷妹 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan gan 35 ghz 毫米波 整流器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，其结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1-xN层和非掺杂GaN层，还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极；所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1-xN层，一侧与非掺杂GaN层接触，另一侧与肖特基接触电极接触，所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层；所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1-xN层，一侧与台面隔离凹槽接触，另一侧为整流器的侧面，其中x＝0.15～0.2，y＝1.37～1.53。
2.根据权利要求1所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器外延片以Al靶材和Ga靶材为原料，利用脉冲激光技术制得。
3.根据权利要求1所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述非掺杂AlxGa1-xN层的厚度为300～320nm，所述非掺杂GaN层的厚度为20～30nm。
4.根据权利要求1所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述台面隔离凹槽深度为245～255nm；所述肖特基接触电极的厚度为190～200nm。
5.根据权利要求1所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述台面隔离凹槽内表面的SiNy钝化层的厚度为8～12nm。
6.根据权利要求1所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述台面隔离凹槽底部长为95～105μm，上部长为145～155μm；所述肖特基接触电极底部长为155～165μm，上部长为115～125μm；所述AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器的长为800μm。
7.根据权利要求2所述一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，所述AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器外延片由以下方法制得：室温下，以Al靶材和Ga靶材为原料，利用脉冲激光技术在Al衬底上生长非掺杂AlxGa1-xN层，再以Ga靶材为原料，利用PLD在非掺杂AlxGa1-xN层上生长非掺杂GaN层，得到整流器外延片。
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