[发明专利]极紫外光学元件的微环境控制系统有效
| 申请号: | 202010929526.3 | 申请日: | 2020-09-07 | 
| 公开(公告)号: | CN112255886B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 | 
| 发明(设计)人: | 王魁波;吴晓斌;罗艳;谢婉露;韩晓泉;沙鹏飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 | 
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 | 
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 何家鹏 | 
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 紫外 光学 元件 环境 控制系统 | ||
本申请具体涉及一种极紫外光学元件的微环境控制系统,包括用于放置光学元件的真空室、分流辐射器和供气设备,分流辐射器设置在真空室内且位于光学元件上方,分流辐射器的底板朝向光学元件的反射面,分流辐射器的内部具有空腔,分流辐射器上设置有与空腔连通的进气口和多个出气口,多个出气口设置底板上;分流辐射器上设置有供光线通过的通光孔,通光孔与空腔之间不连通;供气设备包括高纯气源、供气管路和降温装置,供气管路的两端分别与高纯气源和进气口连通,降温装置设置在供气管路上以降低供气管路中的气体的温度,本申请提出的极紫外光学元件的微环境控制系统能够降低光学元件的温度,防止光学元件变形,能减少光学元件周围的污染物气体。
技术领域
本申请属于极紫外光刻技术领域,具体涉及一种极紫外光学元件的微环境控制系统。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
极紫外(Extreme Ultra-violet,简称EUV)光刻采用13.5nm波长的极紫外光进行光刻,由于空气及几乎所有的折射光学材料对13.5nm波长的极紫外辐照具有强烈的吸收作用,因此极紫外光刻机内部需要设置为清洁的真空环境。
极紫外光刻需要使用反射式光学元件,由于光学元件对温度要求较高,容易在极紫外光的辐照下吸热发生变形,不仅影响光刻工艺的精度,而且会降低光学元件的反射率和使用寿命。
发明内容
本申请提出了一种极紫外光学元件的微环境控制系统,包括用于放置光学元件的真空室,以及分流辐射器和供气设备,所述分流辐射器设置在所述真空室内且位于所述光学元件的上方,所述分流辐射器的底板朝向所述光学元件的反射面,所述分流辐射器的内部具有空腔,所述分流辐射器上设置有与所述空腔连通的进气口和多个出气口,多个所述出气口设置所述底板上;所述分流辐射器上设置有供光线通过的通光孔,所述通光孔与所述空腔之间不连通;所述供气设备包括高纯气源、供气管路和降温装置,所述供气管路的两端分别与所述高纯气源和所述进气口连通,所述降温装置设置在所述供气管路上,所述降温装置用于降低所述供气管路中的气体的温度。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中:
图1为本申请实施例的极紫外光学元件的微环境控制系统的结构示意图;
图2为图1所示极紫外光学元件的微环境控制系统中的分流辐射器的剖视图;
图3为本申请另一种实施例的极紫外光学元件的微环境控制系统的结构示意图。
附图中各标记表示如下:
100、极紫外光学元件的微环境控制系统;
10、光学元件;11、反射面;12、入射光;13、反射光;
20、真空室;
30、分流辐射器;31、顶板;311、进气口;32、底板;321、出气口;322、气体阻挡区;33、空腔;34、通光孔;35、侧挡板;
40、供气设备;41、高纯气源;42、阀组;43、气体流量控制器;44、节流元件;
50、低温气流。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式,然而应当理解的是,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反的,提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
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