[发明专利]发光装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202010929255.1 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN111952292A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 梁伏波;徐海 | 申请（专利权）人： | 江西省晶能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
倒装LED芯片；
于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；
于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；
于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及
于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述出光层中的光转换材料为KSF或KGF或QD；和/或所述出光层的厚度为70～100μm。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层中包含二氧化硅或二氧化钛。
4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层的厚度为40μm～100μm。
5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述倒装LED芯片侧面硅胶保护层的厚度不大于所述倒装LED芯片的厚度，所述光反射层表面不高于电极表面。
6.一种发光装置制备方法，其特征在于，包括：
于支撑膜表面制备阻隔层；
于所述阻隔层表面制备出光层，所述出光层中包含有光转换材料；
于所述出光层表面制备具备粘性的硅胶保护层，所述硅胶保护层的粘度大于1000mpa.s；
将多颗倒装LED芯片排列于所述硅胶保护层表面，并进行压合；压合后所述倒装LED芯片侧面硅胶保护层的厚度不大于所述倒装LED芯片的厚度；
对压合后的硅胶保护层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；
将切割得到的白光芯片重新排列于支撑膜表面，并于白光芯片之间填充光反射胶，制备光反射层；所述光反射层表面不高于电极表面；
沿白光芯片之间的光反射层切割得到单颗发光装置。
7.如权利要求6所述的发光装置制备方法，其特征在于，所述出光层中的光转换材料为KSF或KGF或QD。
8.如权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，所述出光层的厚度为70～100μm。
9.如权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层中包含二氧化硅或二氧化钛。
10.如权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层的厚度为40μm～100μm。
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