[发明专利]基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器及其制备与应用

权利要求书

1.一种基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器，其特征在于，包括量子点以及组装在量子点表面的三维杂交结构，所述三维杂交结构包括cy5标记的探针和生物素修饰的DNA。

2.如权利要求1所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器，其特征在于，所述生物素为FTO特异性生物素。

3.如权利要求1所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器，其特征在于，所述生物素修饰于DNA端部。

4.权利要求1-3任一项所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)FTO介导的m6A在ssDNA底物中的去甲基化；

2)Dpn II辅助去甲基化dsDNA底物的切割以产生生物素化的捕获探针；

3)构建QD-DNA-cy5纳米结构并随后测量FRET信号。

5.如权利要求4所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，以位点特异性结合m⁶A(5’-G-m⁶A-T-C-3’)ssDNA作为底物，ssDNA底物在3'端和5'端都有生物素标记，在存在FTO的情况下，FTO将使5'-G-m⁶A-T-C-3'的序列脱甲基，以产生5'-G-A-T-C-3'的脱甲基序列，在3'末端和5'末端都用生物素修饰的互补链可以与脱甲基ssDNA部分杂交，形成具有Dpn II核酸内切酶识别位点(5'-G-A-T-C-3')的dsDNA。

6.如权利要求5所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，Dpn II内切酶可以在识别位点(5’-G-A-T-C-3’)特异性识别和切割去甲基化的dsDNA。

7.如权利要求4所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，包含4个不同的序列和1个相同的序列，与4个不同的生物素修饰的切割产物和相同的cy5标记的报告基因探针杂交形成三维杂交结构。

8.权利要求1-3任一项所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器或权利要求4-7任一项所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法制得的产品在FTO抑制剂检测中的应用。

9.一种FTO抑制剂的检测方法，其特征在于，用激光激发权利要求1-3任一项所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器或权利要求4-7任一项所述的基于量子点和三维杂交结构的荧光传感器的制备方法制得的产品，同时观察到量子点荧光信号和Cy5荧光信号。

10.如权利要求9所述的FTO抑制剂的检测方法，其特征在于，所述激光为488nm氩激光，FTO活性通过基于TIRF的单分子成像简单地计数Cy5信号数来定量监测。