[发明专利]多层电子组件

权利要求书

1.一种多层电子组件，包括：

主体，包括电容形成部以及上覆盖部和下覆盖部，所述电容形成部包括介电层和在层叠方向上交替层叠的第一内电极和第二内电极且所述介电层中的相应一个介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述上覆盖部设置在所述电容形成部的上面，所述下覆盖部设置在所述电容形成部的下面，所述主体包括在所述层叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面；

第一外电极，设置在所述第三表面上，连接到所述第一内电极，并且包括延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个表面的一部分的第一电极层和覆盖所述第一电极层的第一导电树脂层；以及

第二外电极，设置在所述第四表面上，连接到所述第二内电极，并且包括延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个表面的一部分的第二电极层和覆盖所述第二电极层的第二导电树脂层，

其中，Tp/Rmax为30或更大，其中，Rmax定义为所述第一表面和所述第二表面中的每个表面的在所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层的端部处的最大表面粗糙度，并且Tp定义为所述上覆盖部和所述下覆盖部中的每者的厚度。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，Tp大于等于10μm且小于等于300μm。

3.根据权利要求1或2所述的多层电子组件，其中，Rmax小于等于9μm。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，Tp/Ra为50或更大，其中，Ra定义为所述第一表面和所述第二表面中的每个表面的在所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层的端部处的算术平均粗糙度。

5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，Ra小于等于7μm。

6.根据权利要求4或5所述的多层电子组件，其中，所述第一表面和所述第二表面中的每个表面的接触所述第一电极层和所述第二电极层的部分的算术平均粗糙度大于Ra。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括分别设置在所述电容形成部的两个侧表面上的第一边缘部和第二边缘部。

8.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，Wm/R2max为30或更大，其中，Wm定义为所述第一边缘部和所述第二边缘部中的每者的在连接所述第五表面和所述第六表面的方向上的尺寸，并且R2max定义为所述第五表面和所述第六表面中的每个表面的在所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层的端部处的最大表面粗糙度。

9.根据权利要求7或8所述的多层电子组件，其中，Wm/R2a为50或更大，其中，Wm定义为所述第一边缘部和所述第二边缘部中的每者的在连接所述第五表面和所述第六表面的方向上的尺寸，并且R2a定义为所述第五表面和所述第六表面中的每个表面的在所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层的端部处的算术平均粗糙度。

10.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述第五表面和所述第六表面中的每个表面的接触所述第一电极层和所述第二电极层的部分的算术平均粗糙度大于R2a。

11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括导电金属和玻璃。

12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层包括导电金属和基体树脂。

13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，Tp/Rmax为35.09或更大。