[发明专利]一种多路电源供电均流电路和控制方法

权利要求书

1.一种多路电源供电均流电路，其特征在于，包括：合并输出端和至少两个电源；其中，所述至少两个电源中的任一个电源均对应设置有均流模组；

所述均流模组包括NMOS晶体管、门极泄放电路、门极驱动电路和门极控制处理器；

所述NMOS晶体管的源极连接所述合并输出端；所述NMOS晶体管的漏极连接所述至少两个电源中与所述均流模组对应的电源的输出端；

所述门极泄放电路的输入端和所述门极驱动电路的驱动端均连接所述NMOS晶体管的门极；所述门极泄放电路包括：电压比较器、第二电阻、第二电容和第二三极管；所述电压比较器的正向输入端连接参考电压端；所述电压比较器的反向输入端连接所述NMOS晶体管的门极；所述电压比较器的输出端连接所述第二三极管的基极；所述第二三极管的发射极连接所述NMOS晶体管的门极；所述第二三极管的集电极通过所述第二电容和所述第二电阻构成的并联电路接地；

所述门极控制处理器连接所述门极驱动电路的控制端；所述门极控制处理器还分别采样连接所述合并输出端和所述与所述均流模组对应的电源的输出端。

2.根据权利要求1所述的多路电源供电均流电路，其特征在于，所述均流模组还包括：第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；

所述第三电阻和所述第四电阻串联在所述与所述均流模组对应的电源的输出端和地之间；

所述门极控制处理器的第一采样输入端连接在所述第三电阻和所述第四电阻之间，以实现所述门极控制处理器采样连接所述均流模组对应的电源的输出端；

所述第五电阻和所述第六电阻串联在所述合并输出端和地之间；

所述门极控制处理器的第二采样输入端连接在所述第五电阻和所述第六电阻之间，以实现所述门极控制处理器采样连接所述合并输出端。

3.根据权利要求2所述的多路电源供电均流电路，其特征在于，所述门极驱动电路为电荷泵模组。

4.根据权利要求1所述的多路电源供电均流电路，其特征在于，所述电压比较器为LM393双电压比较器。

5.一种多路电源供电均流控制方法，其特征在于，所述方法应用在如权利要求1至4任一所述的多路电源供电均流电路中，包括：

获取合并输出端的合并端采样电压和与均流模组对应的电源的输出端的电源端采样电压；

根据所述电源端采样电压和所述合并端采样电压，获取所述均流模组输出的等效负载电流；

根据所述等效负载电流和设定电流均流值之间的大小关系，调整NMOS晶体管的导通阻抗；

判断所述电源端采样电压与所述合并端采样电压的差值是否大于设定上限阈值或小于0；

若是，则关断所述NMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的多路电源供电均流控制方法，其特征在于，所述根据所述电源端采样电压和所述合并端采样电压，获取所述均流模组输出的等效负载电流，包括：

根据第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻，设定等效内阻r；

计算所述均流模组输出的等效负载电流I，具体的计算公式为：

其中，U₁为所述电源端采样电压，U₂为所述合并端采样电压。

7.根据权利要求5所述的多路电源供电均流控制方法，其特征在于，所述根据所述等效负载电流和设定电流均流值之间的大小关系，调整NMOS晶体管的导通阻抗，包括：

若所述等效负载电流大于所述设定电流均流值，则增大所述NMOS晶体管的导通阻抗；

若所述等效负载电流小于所述设定电流均流值，则减小所述NMOS晶体管的导通阻抗。

8.根据权利要求5所述的多路电源供电均流控制方法，其特征在于，所述关断所述NMOS晶体管之后，所述方法还包括：

利用门极泄放电路泄放门极驱动电路的驱动端的电能。