[发明专利]经动态调整废料收集工作量

说明书

本申请涉及经动态调整废料收集工作量。本文中描述用于动态调整废料收集工作量的装置及技术。举例来说，可记录存储器装置闲置时间。可从这些记录的闲置时间导出度量。当前废料收集工作量可基于所述度量分割成几个部分。接着，可在下一闲置时间执行所述经分割废料收集工作量的第一部分。

技术领域

本申请涉及存储器装置，且特定来说，涉及经动态调整废料收集工作量。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。

易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。

非易失性存储器可在未供电时保存所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻性随机存取存储器(RRAM)或磁阻性随机存取存储器(MRAM)等。

废料收集是其中移除无效数据片段以释放保存无效数据片段的硬件用于新数据的过程。在具有NAND存储阵列的存储器装置中，废料收集通常涉及将擦除片段(可被擦除的单元，例如块)中的有效(例如，良好)数据复制到新位置及擦除所述擦除片段。一旦被擦除，则擦除片段可用于新数据。因此，废料收集在维持NAND存储器阵列上的自由空间中发挥重要作用。

发明内容

一方面，本申请提供一种用于实施经动态调整废料收集工作量的存储器装置，所述存储器装置包括：处理电路系统；及存储装置，其包含指令，所述指令在由所述处理电路系统执行时配置所述处理电路系统以：记录存储器装置的闲置时间；从所述闲置时间导出度量；基于所述度量将当前废料收集工作量分割成几个部分；及在下一闲置时间执行所述部分的第一部分。

另一方面，本申请提供一种用于经动态调整废料收集工作量的方法，所述方法包括：记录存储器装置的闲置时间；从所述闲置时间导出度量；基于所述度量将当前废料收集工作量分割成几个部分；及在下一闲置时间执行所述部分的第一部分。

另一方面，本申请提供一种机器可读媒体，其包含用于实施经动态调整废料收集工作量的指令，所述指令在由处理电路系统执行时引起所述处理电路系统执行包括以下各者的操作：记录存储器装置的闲置时间；从所述闲置时间导出度量；基于所述度量将当前废料收集工作量分割成几个部分；及在下一闲置时间执行所述部分的第一部分。

附图说明

在不一定按比例绘制的图式中，相同数字可描述不同视图中的类似组件。具有不同字母后缀的相同数字可表示类似组件的不同例子。图式通常通过实例而非限制来说明本发明中所论述的各个实施例。

图1说明包含存储器装置的环境的实例。

图2说明高稳态装置工作量的实例。

图3说明突发装置工作量的实例。

图4说明用于动态调整废料收集工作量的方法的实例的流程图。

图5是说明其上可实施一或多个实施例的机器的实例的框图。

具体实施方式

废料收集不是没有成本的。举例来说，因为废料收集涉及从一个片段读取有效数据及将其写入到另一片段，所以废料收集会消耗存储器装置资源，例如电力、内部连接资源及控制器时间。因此，如果与来自主机的请求同时进行，那么废料收集会影响用户体验(例如，因增加写入时间)。此外，与废料收集相关联的额外写入(称为写入放大)会影响存储器阵列的寿命。这是因为NAND胞元经历随写入的物理变化，其中典型NAND胞元在其不再有效使用之前具有有限次数的总写入。当写入放大较高时，NAND胞元上的此耗损加速。