[发明专利]软关断有源钳位保护电路及电源系统

权利要求书

1.一种软关断有源钳位保护电路，与MOSFET连接，用于控制所述MOSFET关断，其特征在于，包括栅极连接端、漏极连接端、源极连接端、放电电容、过压信号采集模块、负反馈模块、放电电流控制模块和关断控制模块；

所述栅极连接端与所述MOSFET的栅极连接；

所述源极连接端与所述MOSFET的源极连接；

所述漏极连接端与所述MOSFET的漏极连接；

所述栅极连接端、漏极连接端和源极连接端相互连接；

所述放电电容一端连接所述栅极连接端，另一端连接所述漏极连接端；

所述过压信号采集模块连接于所述源极连接端和所述漏极连接端之间；

所述放电电流控制模块和关断控制模块串联于所述栅极连接端和所述漏极连接端之间；

所述负反馈模块连接于所述过压信号采集模块和所述放电电流控制模块；

所述过压信号采集模块用于在采集到过压信号时导通；

所述负反馈模块在所述过压信号采集模块导通时对所述放电电流控制模块负反馈，所述放电电流控制模块根据所述负反馈控制所述放电电容的放电电流，进而控制所述栅极连接端的输出电流；

所述关断控制模块根据所述栅极连接端的输出电流关断或导通。

2.根据权利要求1所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述过压信号采集模块包括依次串联的第一二极管、第一电阻、第二电阻，所述第一二极管的阴极连接所述漏极连接端，所述负反馈模块包括控制端，所述负反馈模块的控制端连接于所述第一电阻和第二电阻之间，所述第二电阻的另一端连接所述源极连接端。

3.根据权利要求2所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述第一二极管为齐纳二极管。

4.根据权利要求2所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述过压信号采集模块还包括第一电容，所述第一电容与所述第一二极管并联。

5.根据权利要求1所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述负反馈模块包括第四电阻和第一三极管；所述第四电阻一端连接所述漏极连接端，另一端连接所述第一三极管的集电极；所述第一三极管的发射极连接所述源极连接端，所述第一三极管的基极与所述过压信号采集模块连接，所述第一三极管的基极为所述负反馈模块的控制端；所述放电电流控制模块包括控制端，所述放电电流控制模块的控制端连接于所述第四电阻的另一端。

6.根据权利要求1所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述放电电流控制模块包括第二三级管；所述第二三级管的基极为所述放电电流控制模块的控制端；所述第二三级管的基极连接所述负反馈模块，所述第二三级管的集电极连接所述关断控制模块，所述第二三级管的发射极连接所述源极连接端。

7.根据权利要求6所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述放电电流控制模块还包括第五电阻，所述第二三级管与所述第五电阻串联。

8.根据权利要求1所述的软关断有源钳位保护电路，其特征在于，所述关断控制模块包括第三三极管；所述第三三极管的基极通过第二二极管与MOS驱动模块连接，所述第三三极管的基极连接所述第二二极管的阳极，所述第三三极管的集电极与所述栅极连接端连接，所述第三三极管的发射极与所述放电电流控制模块连接；所述MOS驱动模块通过第三二极管连接所述栅极连接端，所述栅极连接端连接所述第三二极管的阴极。

9.一种电源系统，其特征在于，包括充放电路和权利要求1-8中任一项所述的软关断有源钳位保护电路；

所述充放电路包括电源和MOSFET，所述电源和MOSFET和负载构成回路，所述软关断有源钳位保护电路与所述MOSFET连接；

所述电源的控制系统包括MOS驱动模块，所述MOS驱动模块连接所述关断控制模块和所述栅极连接端，所述MOS驱动模块根据所述栅极连接端的输出电流控制所述关断控制模块的关断或导通。