[发明专利]一种空腔型薄膜体声波谐振器封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，包括：衬底、基板、压电振荡堆和金属键合层，所述压电振荡堆和金属键合层位于衬底与基板之间，且金属键合层绕设于压电振荡堆四周，是由设于衬底和基板上的金属柱交叉键合形成，在压电振荡堆与衬底之间具有第一空腔，所述第一空腔在衬底表面通过直接刻蚀或腐蚀衬底形成，在压电振荡堆与基板之间具有第二空腔，所述第二空腔是通过释放牺牲层形成的；所述压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极。

2.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，所述第一空腔的宽度小于所述的压电层的宽度，所述牺牲层的宽度大于所述压电层的宽度。

3.根据权利要求2所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，在所述第一空腔的边缘5-10μm处设置有支撑金属柱，用于在金属柱交叉键合后，顶在压电振荡堆下方以支撑器件，此外，所述的上电极、下电极分别与不同的金属柱接触，且金属柱交叉键合后，上电极、下电极均可通过金属键合层引出，且二者经金属键合层传导的路径互不接触。

4.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，所述的第二空腔的高度为2-4μm。

5.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，所述的第一空腔的截面为梯型、三角形、长方形、正方形的一种或其任意组合，高度为2-4μm。

6.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构，其特征在于，所述的金属键合层的高度为2-5μm。

7.制备如权利要求1-6任一项所述的空腔型薄膜体声波谐振器封装结构的方法，其特征在于，包括：

在衬底表面制备第一空腔以及第一金属柱阵列；

在基板表面制备所述声波谐振器的薄膜结构层以及第二金属柱阵列；所述的薄膜结构层包括自下而上设置的牺牲层、下电极、压电层、上电极；

将所述基板倒置于所述衬底上，使得第一金属柱阵列和第二金属柱阵列交叉键合形成金属键合层，且所述第一空腔位于薄膜结构层下方；

去除牺牲层材料，获得空腔型薄膜体声波谐振器封装结构。