[发明专利]防蓝光、高透过率镀膜前板及防蓝光太阳能电池组件在审

专利信息
申请号: 202010922986.3 申请日: 2020-09-04
公开(公告)号: CN111925129A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 张群芳;宋睿;林晨星 申请(专利权)人: 安徽天柱绿色能源科技有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C03C17/00;H01L31/0216;H01L31/048
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 代理人: 王琪;和聚龙
地址: 233000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 防蓝光 透过 镀膜 太阳能电池 组件
【权利要求书】:

1.一种防蓝光、高透过率镀膜前板,包括浮法玻璃,其特征为:

所述浮法玻璃上设有第一膜结构,第一膜结构包括若干高折射率膜层和至少一层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2,所述高折射率膜层和所述低折射率膜层依次间隔分布,距离浮法玻璃表面最近和最远的膜层都为高折射率膜层。

2.根据权利要求1所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:

所述的第一膜结构包括三层高折射率膜层和两层低折射率膜层,分别是第一层高折射率膜层、第二层低折射率膜层、第三层高折射率膜层、第四层低折射率膜层、第五层高折射率膜层;

第一层高折射率膜层的厚度为21.78nm~27.89nm;

第二层低折射率膜层的厚度为75.30nm~93.29nm;

第三层高折射率膜层的厚度为43.50nm~55.79nm;

第四层低折射率膜层的厚度为75.31nm~93.38nm;

第五层高折射率膜层的厚度为21.70nm~27.90nm。

3.根据权利要求2所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:

第一层高折射率膜层的厚度为24.03nm;

第二层低折射率膜层的厚度为81.85nm;

第三层高折射率膜层的厚度为48.08nm;

第四层低折射率膜层的厚度为81.85nm;

第五层高折射率膜层的厚度为24.03nm。

4.根据权利要求1所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:

浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面上设有AS/AF膜。

5.根据权利要求4所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:

浮法玻璃与AS/AF膜之间还设有第二膜结构,第二膜结构也包括四层高折射率膜层和四层低折射率膜层,所述高折射率膜层所使用的镀膜材料为Nb2O5,所述低折射率膜层所使用的镀膜材料为SiO2

从浮法玻璃至外的方向依次是第六层高折射率膜层、第七层低折射率膜层、第八层高折射率膜层、第九层低折射率膜层、第十层高折射率膜层、第十一层低折射率膜层、第十二层高折射率膜层、第十三层低折射率膜层;

第六层高折射率膜层的厚度为12.61nm;

第七层低折射率膜层的厚度为39.72nm;

第八层高折射率膜层的厚度为30.25nm;

第九层低折射率膜层的厚度为99.36nm;

第十层高折射率膜层的厚度为12.37nm;

第十一层低折射率膜层的厚度为18.23nm;

第十二层高折射率膜层的厚度为23.98nm;

第十三层低折射率膜层的厚度为105.70nm。

6.根据权利要求4所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,其特征是:

浮法玻璃在远离第一膜结构一侧表面为粗糙的哑光表面,哑光表面上设有AS/AF膜。

7.一种防蓝光太阳能电池组件,包括前板、封装用胶膜、太阳能电池芯片、光伏接线盒和铝合金附框,其特征是:所述前板采用如权利要求1至6中任一项所述的防蓝光、高透过率镀膜前板,所述防蓝光、高透过率镀膜前板的第一膜结构相对浮法玻璃处于靠近太阳能电池芯片一侧位置。

8.根据权利要求7所述的防蓝光太阳能电池组件,其特征是:

所述的太阳能电池芯片为透光太阳能电池芯片或者不透光太阳能电池芯片。

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