[发明专利]电弧离子镀膜装置

权利要求书

1.一种电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，包括：

基体支架(2)，用于支撑基体(21)；

电弧源(3)，包括阴极靶(31)，所述阴极靶(31)用于释放等离子体(7)，以为所述基体(21)镀膜；和

辅助阳极(4)，设置于所述阴极靶(31)与所述基体支架(2)之间，所述辅助阳极(4)内设有允许所述阴极靶(31)所释放等离子体(7)通过的通道(43)，且所述辅助阳极(4)与所述阴极靶(31)之间形成电场，所述辅助阳极(4)和所述阴极靶(31)分别与电源(51)的正极和负极电连接。

2.根据权利要求1所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述辅助阳极(4)包括本体部(41)，所述本体部(41)围设于所述通道(43)四周，且所述本体部(41)具有非连续的表面。

3.根据权利要求2所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述本体部(41)包括至少两根杆件(411)，所述至少两根杆件(411)沿着所述通道(43)的周向间隔布置。

4.根据权利要求3所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述至少两根杆件(411)沿着所述通道(43)的周向均匀布置。

5.根据权利要求2所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述辅助阳极(4)还包括支撑部(42)，所述支撑部(42)支撑所述本体部(41)。

6.根据权利要求5所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述支撑部(42)包括第一支撑环(421)和第二支撑环(422)，所述第一支撑环(421)和所述第二支撑环(422)沿着由所述基体支架(2)至所述阴极靶(31)的方向依次布置，所述本体部(41)连接于所述第一支撑环(421)和所述第二支撑环(422)之间。

7.根据权利要求6所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述辅助阳极(4)通过所述第一支撑环(421)与所述电源(51)的正极电连接；和/或，所述辅助阳极(4)通过所述第一支撑环(421)与所述电弧离子镀膜装置(100)的真空腔体(1)连接。

8.根据权利要求6所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述第一支撑环(421)的环径大于所述第二支撑环(422)的环径。

9.根据权利要求1所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述辅助阳极(4)与所述阴极靶(31)的朝向所述基体支架(2)的表面之间的距离为50mm。

10.根据权利要求1-9任一所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述辅助阳极(4)与所述阴极靶(31)同轴布置。

11.根据权利要求1-9任一所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述电弧离子镀膜装置(100)还包括基体偏压装置(6)，所述基体偏压装置(6)与所述基体支架(2)电连接，用于为所述基体(21)施加偏压。

12.根据权利要求11所述的电弧离子镀膜装置(100)，其特征在于，所述基体偏压装置(6)包括基体脉冲偏压装置(61)，所述基体脉冲偏压装置(61)用于为所述基体(21)施加脉冲偏压。