[发明专利]一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备

说明书

本发明属于终端设备领域，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备，包括步骤：在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。本发明解决了在Android系统在OTA升级之后系统出现异常，最后归结于DDR/flash硬件问题时，传统压力测试方法无法确认存在问题是硬件到底是DDR还是flash的问题。本发明通过模拟OTA升级时的环境和相关操作，能有效地复现出OTA升级过程中存在的异常现象，从而快速而精准地定位问题所在。

技术领域

本发明涉及终端设备领域，尤指一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备。

背景技术

针对Android系统OTA升级之后，出现系统不稳定，如系统无响应，死机等现象，这些现象很多时候会归结为DDR和flash不稳定造成，如何排查到底是DDR还是flash存在不稳定一直是一个比较难且急需解决的问题。

一般仅对DDR和flash做单独的压力测试，以测试出最终的问题硬件，且目前的DDR或flash压力测试都是在Android系统的正常工作模式下进行，很多时候很难测试出问题所在。

发明内容

本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备，可以通过在Recovery模式下进行压力测试，准确定位到存在问题的硬件，避免了Android系统再次不稳定。

本发明提供的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；

通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；

基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；

其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。

进一步优选地，所述基于解析后的所述命令和所述测试参数进行压力测试，包括步骤：

基于解析后的所述命令进行DDR压力测试；

当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试；

当所述DDR未通过所述DDR压力测试时，则停止所述压力测试。

进一步优选地，所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试，具体包括步骤：

获取并锁住堆内存，以建立DDR的临时存储地址；

读取DDR分区中所述DDR的分区数据，并将所述DDR的分区数据复制入所述DDR的临时存储地址；

比较所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据。

进一步优选地，在所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试之后，还包括：

判断所述DDR是否通过所述DDR压力测试，具体包括：

当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据一致时，所述DDR通过所述DDR压力测试；

当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据不一致时，所述DDR未通过所述DDR压力测试。