[发明专利]钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010920802.X | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112201478B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 翟继卫;宋佰洁;闫浩;沈波 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01G4/08 | 分类号: | H01G4/08;H01G4/33 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈天宝 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钛酸锶铋 铁酸铋异质 电介质 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜,其特征在于,所述电介质薄膜的化学组成为Sr0.7Bi0.2TiO3/
所述电介质薄膜为总层数为7的叠层结构,所述叠层结构为以下3种结构中的一种:
1#:Sr0.7Bi0.2TiO3/1BiFeO3,其中第4层为BiFeO3,其余层为Sr0.7Bi0.2TiO3;
2#:Sr0.7Bi0.2TiO3/2BiFeO3,其中第3、6层为BiFeO3,其余层为Sr0.7Bi0.2TiO3;
3#:Sr0.7Bi0.2TiO3/3BiFeO3,其中第2、4、6层为BiFeO3,其余层为Sr0.7Bi0.2TiO3。
2.根据权利要求1所述的一种高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜,其特征在于,其中x=2。
3.根据权利要求1所述的一种高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜,其特征在于,所述电介质薄膜的厚度为300 nm。
4.一种权利要求1中所述高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按照组成的化学计量比称取硝酸铋、乙酸锶并溶于乙酸,搅拌,制得溶液A;
(2)按照组成的化学计量比称取钛酸四丁酯,并称取乙酰丙酮,将钛酸四丁酯溶于乙二醇甲醚和乙酰丙酮的混合液中,搅拌,制得溶液B;
(3)将溶液A和溶液B混合,使用乙酸调整混合溶液的浓度,使用氨水调节混合溶液的酸碱度,搅拌,制得Sr0.7Bi0.2TiO3前驱体溶液;
(4)按照组成的化学计量比称取硝酸铋、硝酸铁并溶于乙酸,并加入PVP调节液体的粘度,搅拌,再使用氨水调节混合溶液的酸碱度,使用乙酸调整混合溶液的浓度并室温下,搅拌,制得BiFeO3前驱体溶液;
(5)依次用丙酮,蒸馏水和乙醇清洗基片,然后用高纯氮气将基片吹干;
(6)用旋涂法将步骤(3)(4)中制得的前驱体溶液按照所设计的多层结构涂覆在步骤(5)所得的基片上,得到高储能密度钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜。
5.根据权利要求4所述的高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)~(4)中的搅拌温度均为室温;
步骤(1)和(2)中的搅拌时间为20~30分钟;
步骤(3)中的搅拌时间为300分钟;
步骤(4)中的搅拌时间为:调节液体的粘度时搅拌时间为20~30分钟,调节混合溶液的酸碱度时搅拌时间为20~30分钟;
步骤(3)和(4)中混合溶液的浓度均为0.2M;
步骤(2)中乙酰丙酮与钛酸四丁酯摩尔比2:1。
6.根据权利要求4所述的高储能密度的钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(5)中所述基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片。
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