[发明专利]掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法，其特征在于，包括：

在若干晶圆监控片上制造出掺杂多晶硅薄膜，并对所述若干晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜进行离子掺杂浓度测量和应力参数测量，以根据测量所获得的离子掺杂浓度数据和应力参数数据进行相关性分析，建立掺杂多晶硅薄膜所对应的应力参数与离子掺杂浓度之间的相关性；

在当前的晶圆监控片上制造出掺杂多晶硅薄膜，并测量所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度；

根据测量出的所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度以及所述相关性，计算出所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜的应力参数，以判断所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜是否满足当前的应力参数要求。

2.如权利要求1所述的应力监控方法，其特征在于，采用散点相关性一元一次方程来对所述离子掺杂浓度数据和应力参数数据进行的曲线拟合，以对所获得的离子掺杂浓度数据和应力参数数据进行相关性分析，并建立所述应力参数与离子掺杂浓度之间的函数关系模型。

3.如权利要求2所述的应力监控方法，其特征在于，所述函数关系模型为应力参数与离子掺杂浓度呈斜率为负的线性正比例函数。

4.如权利要求1所述的应力监控方法，其特征在于，在所述若干晶圆监控片上制造出掺杂多晶硅薄膜和在当前的晶圆监控片制造出掺杂多晶硅薄膜步骤均包括：

在所述晶圆监控片的正面和背面上，形成介质阻挡层；

采用原位掺杂工艺，在所述晶圆监控片的正面和背面上的介质阻挡层上形成掺杂多晶硅薄膜。

5.如权利要求1所述的应力监控方法，其特征在于，还包括：根据判断结果，确定后续制造掺杂多晶硅薄膜的工艺参数。

6.一种监控系统，其特征在于，包括：

相关性建立模组，用于获取若干晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜的离子掺杂浓度数据和应力参数数据，并对所述离子掺杂浓度数据和应力参数数据进行相关性分析，建立掺杂多晶硅薄膜所对应的应力参数与离子掺杂浓度之间的相关性；

测量模组，用于对所述若干晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜进行离子掺杂浓度测量，以及，用于测量当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度；

判断模组，用于根据所述测量模组对所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜中的离子掺杂浓度的测量结果以及所述相关性建立模组所建立的相关性，计算出所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜的应力参数，以判断所述当前的晶圆监控片上制造出的掺杂多晶硅薄膜是否满足当前的应力参数要求。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1~5中任一项所述的掺杂多晶硅薄膜的应力监控方法，或者，采用权利要求6所述的监控系统，确定当前应力参数要求所对应的掺杂多晶硅薄膜的制造工艺参数；

提供一晶圆，并根据所述制造工艺参数，在所述晶圆上形成所需的掺杂多晶硅薄膜。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述晶圆上形成所需的掺杂多晶硅薄膜之后，还包括：

对所述掺杂多晶硅薄膜进行退火处理；

对所述掺杂多晶硅薄膜进行光刻和刻蚀，以形成图形化结构。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述图形化结构包括MEMS器件的振膜、MEMS器件的背板、MEMS器件的热感应微结构、栅极、栅极以外的电极、电阻和熔丝中的至少一种。