[发明专利]基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器

权利要求书

1.基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，包括N×M多频点太赫兹天线阵列、包括有传输线TL1、TL2和TL3的匹配网络、隔直电容C1、探测器和读出电路测试开关、读出电路、N×M肖特基二极管阵列；

其中，所述匹配网络中的传输线TL1与N×M多频点太赫兹天线阵列连接，传输线TL2的右端与N×M肖特基二极管阵列相连，传输线TL3的下端分别与隔直电容C1的一端、探测器和读出电路测试开关、读出电路相连接；

所述隔直电容C1的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述N×M肖特基二极管阵列包括N×M个纵横排列的肖特基二极管单元、N个第一行选开关以及M个第一列选开关；

每个肖特基二极管单元均包括肖特基二极管、偏置电压Vb1、偏置电阻Rb1以及第一NMOSFET；

每个肖特基二极管单元中，肖特基二极管的阳极分别与偏置电阻Rb1的一端、第一NMOSFET的M_SEL1端连接，肖特基二极管的阴极接地；所述偏置电阻Rb1的另一端与偏置电压Vb1连接，用于给肖特基二极管供电；

每个肖特基二极管单元中第一NMOSFET的SEL1端均与所在列的第一列选开关连接；

每个肖特基二极管单元中第一NMOSFET的V_out1端均与所在行的第一行选开关连接。

3.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述匹配网络采用接地共面波导传输线。

4.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述N×M多频点太赫兹天线阵列包括N×M个多频点太赫兹天线单元、N个第二行选开关以及M个第二列选开关；

每个N×M个多频点太赫兹天线单元均包括多频点太赫兹天线和第二NMOSFET；

每个N×M个多频点太赫兹天线单元中，多频点太赫兹天线与第二NMOSFET的M_SEL端连接，而第二NMOSFET的SEL端均与所在列的第二列选开关连接，第二NMOSFET的V_out端均与所在行的第二行选开关连接。

5.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述N×M多频点太赫兹天线阵列的端口阻抗与传输线TL1的左端口阻抗一致，传输线TL1的左端口阻抗与传输线TL2的右端口阻抗一致，传输线TL2的右端口阻抗与N×M肖特基二极管阵列的端口阻抗一致。

6.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述读出电路包括低噪声斩波放大器和高分辨率模数转换器；所述低噪声斩波放大器连接于传输线TL3和高分辨率模数转换器之间，将接收到的太赫兹信号进行放大并利用斩波电路技术来减少放大器自身的offset和1/f噪声；所述高分辨率模数转换器将放大后的太赫兹信号进行数字化，以便进行后端信号处理。

7.根据权利要求1所述的基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，所述探测器和读出电路测试开关包括探测器测试开关S1和读出电路测试开关S2；所述探测器测试开关S1和读出电路测试开关S2分别连接于所述传输线TL3和读出电路之间。