[发明专利]垂直式双极性晶体管装置

权利要求书

1.一种垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，包含：

一重掺杂半导体基板，具有第一导电型；

一第一半导体外延层，具有第二导电型，该第一半导体外延层设在该重掺杂半导体基板上；

至少一个第一掺杂阱区，具有该第一导电型，该至少一个第一掺杂阱区设在该第一半导体外延层中；以及

一外部导体，设在该重掺杂半导体基板与该第一半导体外延层的外侧，并电性连接该重掺杂半导体基板与该第一半导体外延层。

2.根据权利要求1所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

3.根据权利要求1所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。

4.根据权利要求1所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含：

至少一个第一重掺杂区，具有该第一导电型，该至少一个第一重掺杂区设在该至少一个第一掺杂阱区中；以及

一第二重掺杂区，具有该第二导电型，该第二重掺杂区设在该第一半导体外延层中，其中该第二重掺杂区围绕该至少一个第一掺杂阱区。

5.根据权利要求4所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含一重掺杂埋层，其设在该重掺杂半导体基板与该第一半导体外延层之间，并位于该至少一个第一掺杂阱区的正下方。

6.根据权利要求5所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该至少一个第一掺杂阱区包含多个第一掺杂阱区，该至少一个第一重掺杂区包含多个第一重掺杂区，该些第一重掺杂区分别设在该些第一掺杂阱区中。

7.根据权利要求5所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含一隔离结构，其设在该第一半导体外延层中，并位于该至少一个第一掺杂阱区与该第二重掺杂区之间，该隔离结构围绕该至少一个第一掺杂阱区，该隔离结构的底部等于或低于该至少一个第一掺杂阱区的底部。

8.根据权利要求5所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含一第二掺杂阱区，其设在该第一半导体外延层中，并位于该至少一个第一掺杂阱区与该第二重掺杂区之间，该第二掺杂阱区具有该第一导电型，该第二掺杂阱区的底部等于或低于该至少一个第一掺杂阱区的底部。

9.根据权利要求1所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该至少一个第一掺杂阱区电性连接一第一接脚，且该重掺杂半导体基板、该外部导体与该第一半导体外延层电性连接一第二接脚。

10.根据权利要求1所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该外部导体包含导线架与焊线。

11.根据权利要求4所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含一第二半导体外延层，其设在该重掺杂半导体基板与该第一半导体外延层之间，并位于该至少一个第一掺杂阱区的正下方，该第二半导体外延层的掺杂浓度高于该第一半导体外延层的掺杂浓度。

12.根据权利要求11所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，更包含一隔离结构，其设在该第一半导体外延层中，并位于该至少一个第一掺杂阱区与该第二重掺杂区之间，该隔离结构围绕该至少一个第一掺杂阱区，该隔离结构的底部等于或低于该至少一个第一掺杂阱区的底部。

13.根据权利要求12所述的垂直式双极性晶体管装置，其特征在于，该隔离结构设在该第二半导体外延层中。