[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。本文提供了一种存储器装置及操作该存储器装置的方法。存储器装置可以包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为使用第一验证电压来验证对多个存储器单元的编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以响应于中止命令而中止编程操作并且响应于在中止命令之后输入的恢复命令而使用第二验证电压来验证对多个存储器单元的编程操作。第二验证电压可以比第一验证电压具有更低的电压电平。

技术领域

本发明公开的各个实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

背景技术

通常，储存装置在诸如例如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据。储存装置可以包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置主要分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

易失性存储器装置仅在向其供电时才存储数据，而在电力断开时丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

非易失性存储器装置即使在断开给装置的电力的情况下仍保持所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存。

发明内容

本发明公开的各种实施方式涉及展现包括形成改善的阈值电压分布的改善的编程性能的存储器装置及操作该存储器装置的方法。

本发明公开的实施方式提供了一种存储器装置，其包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为使用第一验证电压来验证对多个存储器单元的编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以响应于中止命令而中止编程操作，并且响应于在中止命令之后输入的恢复命令而使用第二验证电压来验证对多个存储器单元的编程操作。第二验证电压可以比第一验证电压具有更低的电压电平。

本发明公开的实施方式提供了一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为响应于中止命令而中止编程操作，并且响应于在中止命令之后输入的恢复命令，依据在编程操作被中止期间多个存储器单元的阈值电压的改变量，来改变在编程操作中要使用的至少一个操作电压。

本发明公开的实施方式提供一种操作包括多个存储器单元的存储器装置的方法。该方法可以包括：响应于中止命令，中止对多个存储器单元的编程操作；基于指示在编程操作被中止期间多个存储器单元的阈值电压被偏移的程度的偏移信息，改变在验证编程操作的操作中要使用的验证电压的电压电平；以及响应于恢复命令，使用具有改变后的电压电平的验证电压来恢复编程操作。

本发明公开的实施方式提供了一种存储器装置，其包括：储存单元；第一存储器，其用于存储指示一个或更多个初始验证电压的第一集合的信息；第二存储器，其用于存储指示分别对应于中止程度的第二集合的信息，每个集合表示一个或更多个验证电压；以及运算电路，其适于检测由于对储存单元的正在进行的编程操作的中止命令而中止的编程循环中的验证失败的一个或更多个编程状态，检测在中止命令的时间点和针对被中止的编程操作的恢复命令的时间点之间所引起的中止程度，并且使用与检测到的程度相对应的第二集合内针对验证失败的编程状态的验证电压以及第一集合内针对其余编程状态的验证电压，来恢复被中止的编程操作。

通过以下详细描述和附图，可以更好地理解本发明的这些和其它特征和优点。

附图说明

图1是例示根据本发明公开的实施方式的存储器装置的图。

图2是描述图1的存储块BLKi的图。

图3是描述针对多个编程状态的阈值电压分布的图。

图4是描述编程操作的图。