[发明专利]垂直腔表面发射激光器及激光器阵列有效
| 申请号: | 202010914040.2 | 申请日: | 2017-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN112134141B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | A.V.巴尔夫;A.袁 | 申请(专利权)人: | 朗美通经营有限责任公司 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈曦 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 表面 发射 激光器 阵列 | ||
1.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL),包括:
隔离层,其包括圆形部分和从圆形部分延伸并且围绕圆形部分间隔开的多个延伸部分;
金属层,其形成在所述隔离层上,包括环形部分和从环形部分延伸并且围绕环形部分间隔开的一组延伸部分,所述一组延伸部分定位在所述多个延伸部分之上;
多个电介质通孔开口,其形成在电介质层上,所述多个电介质通孔开口定位在所述一组延伸部分之上;以及
多个氧化沟槽,
所述多个氧化沟槽中的一氧化沟槽:
沿着所述隔离层的外周的一部分设置,并且可与一不同的垂直腔表面发射激光器共享,并且
至少部分地位于所述多个延伸部分中的第一延伸部分与所述多个延伸部分的第二延伸部分之间。
2.如权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器,其中,与所述隔离层相关联的半径小于或等于与所述金属层相关联的半径。
3.如权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器,还包括:
光学孔径,以发射激光束;以及
氧化孔径,其由氧化层形成。
4.如权利要求3所述的垂直腔表面发射激光器,其中,所述氧化层位于所述光学孔径下方。
5.如权利要求3所述的垂直腔表面发射激光器,其中,所述氧化沟槽包括一个或多个开口,所述一个或多个开口允许氧进入外延层以形成所述氧化层。
6.如权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器,
其中,所述多个电介质通孔开口提供到金属层的电接入。
7.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL),包括:
隔离层,其包括圆形部分和从圆形部分延伸并且围绕圆形部分间隔开的多个延伸部分;
金属层,其形成在所述隔离层上,包括环形部分和从环形部分延伸并且围绕环形部分间隔开的一组延伸部分,所述一组延伸部分定位在所述多个延伸部分之上;
多个电介质通孔开口,其形成在电介质层上,所述多个电介质通孔开口定位在所述一组延伸部分之上;以及
多个氧化沟槽,
所述多个氧化沟槽中的一氧化沟槽:
沿着所述隔离层的外周的一部分设置,并且与在不同的垂直腔表面发射激光器的两个电介质通孔开口之间延伸的第二氧化沟槽至少部分地重叠,并且
至少部分地位于所述多个延伸部分中的第一延伸部分与所述多个延伸部分的第二延伸部分之间。
8.如权利要求7所述的垂直腔表面发射激光器,其中,与所述隔离层相关联的半径小于或等于与所述金属层相关联的半径。
9.如权利要求7所述的垂直腔表面发射激光器,其中,所述多个氧化沟槽以不规则的形状形成。
10.如权利要求7所述的垂直腔表面发射激光器,还包括:
光学孔径,以发射激光束;以及
氧化孔径,其由氧化层形成。
11.如权利要求10所述的垂直腔表面发射激光器,其中,
所述氧化层位于所述光学孔径下方,并且
所述氧化沟槽包括一个或多个开口,所述一个或多个开口允许氧进入外延层以形成所述氧化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗美通经营有限责任公司,未经朗美通经营有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010914040.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





