[发明专利]双向击穿硅控整流器

权利要求书

1.一种结构，包括：

多个扩散区域；

与所述扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中所述P+阱直接连接；以及

与所述P+阱相邻的多个n型(N+)阱。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述多个N+阱直接连接。

3.根据权利要求1所述的结构，进一步包括与所述多个P+阱和所述多个N+阱相邻的浅沟槽隔离(STI)结构。

4.根据权利要求3所述的结构，其中所述多个N+阱通过所述STI结构而彼此隔离。

5.根据权利要求1所述的结构，进一步包括位于所述扩散区域和所述多个P+阱之间的结处的多个栅极结构。

6.根据权利要求5所述的结构，进一步包括位于所述栅极结构之间的硅化物块。

7.根据权利要求1所述的结构，进一步包括与所述多个N+阱相邻的公共P+阱。

8.根据权利要求7所述的结构，其中所述扩散区域包括P+区和N+区。

9.根据权利要求8所述的结构，进一步包括位于所述公共P+阱和所述P+区之间的结处的栅极结构。

10.根据权利要求9所述的结构，进一步包括位于所述栅极结构之间的硅化物块。

11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述硅化物块位于所述公共P+阱和所述N+阱上方。

12.根据权利要求1所述的结构，进一步包括将所述P+阱连接到所述扩散区域的硅化物块。

13.根据权利要求12所述的结构，进一步包括将所述N+阱连接到所述扩散区域的硅化物块。

14.根据权利要求1所述的结构，其中所述P+阱在所述扩散区域下方连接。

15.根据权利要求1所述的结构，其中所述P+阱在所述扩散区域上方连接。

16.一种结构，包括：

第一P+阱，其被直接连接到第二P+阱；

多个扩散区域，其与所述第一P+阱和所述第二P+阱相邻；以及

第一N+阱，其被直接连接到第二N+阱并与所述多个扩散区域相邻，所述第一N+阱与所述第一P+阱相邻，并且所述第二N+阱与所述第二P+阱相邻。

17.根据权利要求16所述的结构，进一步包括连接所述第一N+阱和所述第二N+阱的多个硅化物块。

18.根据权利要求16所述的结构，进一步包括连接所述第一P+阱和所述第二P+阱的多个硅化物块。

19.根据权利要求16所述的结构，进一步包括将所述扩散区域连接到所述第一N+阱和所述第二N+阱的多个硅化物块。

20.一种结构，包括：

彼此直接连接的多个P+阱；

多个硅化物块，其与所述P+阱相邻；

多个扩散区域，其通过所述硅化物块而被连接到所述P+阱；

多个N+阱，其通过所述硅化物块而被连接到所述扩散区域；以及

STI结构，其使所述N+阱彼此隔离。