[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法

说明书

半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。

技术领域

本发明涉及半导体固体照明技术领域，尤其涉及一种半导体发光二极管及其制备方法。

背景技术

商业化的半导体发光二极管(LED)封装，一开始多采用金线将芯片的PN结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，正装结构存在着光衰较大、光淬灭和散热等失效问题，制约其发展。为此，业内研究者们相继开发了垂直结构的半导体发光二极管和倒装的半导体发光二极管。

相较于正装的半导体发光二极管，垂直的半导体发光二极管结构能够提高散热效率。垂直的半导体发光二极管，两个电极分别在半导体发光二极管外延层的两侧，通过电极，使得电流几乎全部垂直流过半导体发光二极管外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。

相较于正装的半导体发光二极管，倒装的半导体发光二极管结构可以集成化和批量化生产，制备工艺简单，性能优良。倒装结构采用将半导体发光二极管的PN结直接与基板上的正负极共晶键合，不使用金线，最大限度避免光淬灭问题。共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。

然而，无论是垂直封装的半导体发光二极管结构还是倒装的半导体发光二极管结构，均存在内部反射层易剥离(peeling)的问题，仍然有待改进。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体发光二极管及其制备方法，提使得半导体发光二极管内部反射层易剥离和覆盖不良的情况得到改善，性能得到提高。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体发光二极管，包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层，还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上；还包括与所述绝缘结构连接的绝缘区块，所述绝缘区块具有多个通孔，所述反射层覆盖所述绝缘区块，所述反射层与所述绝缘区块在所述透明导电层上形成全方向反射镜结构。

可选的，所述绝缘结构的底面同时覆盖部分所述半导体发光叠层上表面和部分所述透明导电层上表面。

可选的，所述绝缘区块的厚度小于所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度，所述反射层的厚度大于所述绝缘区块的厚度。

可选的，所述绝缘区块的厚度为所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度的一半以下。

可选的，所述反射层的厚度小于或者等于所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度。

可选的，所述反射层上具有保护层，至少部分所述保护层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上，使所述保护层的底面与侧面的夹角为钝角。

可选的，相邻所述半导体发光叠层具有孔槽，所述绝缘结构还覆盖在所述孔槽的侧壁和底部。

为解决上述问题，本发明还提供了一种半导体发光二极管的制备方法，包括：在衬底上形成半导体发光叠层；在所述半导体发光叠层上形成透明导电层；形成绝缘结构及与所述绝缘结构连接的绝缘区块，所述绝缘结构至少部分形成在所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘；在所述透明导电层上形成反射层，所述反射层位于所述斜侧面包围的区域，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上，所述绝缘区块具有多个通孔，所述反射层覆盖所述绝缘区块，所述反射层与所述绝缘区块在所述透明导电层上形成全方向反射镜结构。