[发明专利]玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法有效

专利信息
申请号: 202010912066.3 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN112063985B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 乔利杰;宋述兵;王瑞俊;王博 申请(专利权)人: 山东司莱美克新材料科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50;C03C17/09;C23C14/18
代理公司: 淄博市众朗知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37316 代理人: 程强强
地址: 256401 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 基材 真空 磁控溅射 镀铜 方法
【权利要求书】:

1.一种玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:由以下步骤组成:

(1)玻璃经振荡清洗后高温烘干,然后将烘干后的玻璃挂在真空磁控溅射反应炉的转架上,真空磁控溅射反应炉内放置2个SiAl靶材,3个铜靶材,反应溅射的气体为氮气,保护气体为氩气;

(2)玻璃随真空磁控溅射反应炉的转架进行圆周旋转,抽真空到3.0×10-4pa-7.0×10-4pa,然后通入氩气,调节真空度至1.2-1.8×10-1pa,打开离子源,对玻璃进行离子源清洗;

(3)通入氮气,调整氩气流量,维持真空度在1.2-1.9×10-1pa,打开偏压电源,打开SiAl靶材直流控制电源,进行反应溅射镀;

(4)关闭SiAl靶材直流控制电源,关闭氮气,调节氩气流量,调节真空度至1.2-1.8×10-1pa,然后打开铜靶材直流控制电源,进行磁控溅射镀铜,最后经后处理即得到镀铜玻璃;

其中:

步骤(3)中所述的氮气与氩气的流量比为1:1.2;

步骤(3)中所述的反应溅射镀偏压电压为250-350V,电流为3-7A;

步骤(3)中所述的反应溅射镀镀膜时间为3-5min,镀膜温度为150-200℃,镀膜厚度为20-30纳米;

步骤(4)中所述的镀铜时间为2-4min,镀铜厚度为100-150纳米。

2.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(1)中所述的玻璃是硅酸盐玻璃。

3.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(1)中所述的采用超声波振荡清洗,在金属清洗剂中清洗30-35min,温度设定为60-65℃,然后在两个去离子水池中分别振荡清洗15-20min,温度设定为60-65℃,最后于140-160℃的高温烘烤箱中烘烤30-35min。

4.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(2)所述的离子源清洗时间为10-15min,真空度为1.4-1.8×10-1pa,离子源电压为1800-2000V,占空比设置为60%-80%。

5.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(4)中所述的后处理为关闭氩气,然后关闭电源,等待真空磁控溅射反应炉内温度降到≤40℃,开炉取样即得到镀铜玻璃。

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