[发明专利]玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法有效
申请号: | 202010912066.3 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112063985B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 乔利杰;宋述兵;王瑞俊;王博 | 申请(专利权)人: | 山东司莱美克新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/50;C03C17/09;C23C14/18 |
代理公司: | 淄博市众朗知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37316 | 代理人: | 程强强 |
地址: | 256401 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 基材 真空 磁控溅射 镀铜 方法 | ||
1.一种玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:由以下步骤组成:
(1)玻璃经振荡清洗后高温烘干,然后将烘干后的玻璃挂在真空磁控溅射反应炉的转架上,真空磁控溅射反应炉内放置2个SiAl靶材,3个铜靶材,反应溅射的气体为氮气,保护气体为氩气;
(2)玻璃随真空磁控溅射反应炉的转架进行圆周旋转,抽真空到3.0×10-4pa-7.0×10-4pa,然后通入氩气,调节真空度至1.2-1.8×10-1pa,打开离子源,对玻璃进行离子源清洗;
(3)通入氮气,调整氩气流量,维持真空度在1.2-1.9×10-1pa,打开偏压电源,打开SiAl靶材直流控制电源,进行反应溅射镀;
(4)关闭SiAl靶材直流控制电源,关闭氮气,调节氩气流量,调节真空度至1.2-1.8×10-1pa,然后打开铜靶材直流控制电源,进行磁控溅射镀铜,最后经后处理即得到镀铜玻璃;
其中:
步骤(3)中所述的氮气与氩气的流量比为1:1.2;
步骤(3)中所述的反应溅射镀偏压电压为250-350V,电流为3-7A;
步骤(3)中所述的反应溅射镀镀膜时间为3-5min,镀膜温度为150-200℃,镀膜厚度为20-30纳米;
步骤(4)中所述的镀铜时间为2-4min,镀铜厚度为100-150纳米。
2.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(1)中所述的玻璃是硅酸盐玻璃。
3.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(1)中所述的采用超声波振荡清洗,在金属清洗剂中清洗30-35min,温度设定为60-65℃,然后在两个去离子水池中分别振荡清洗15-20min,温度设定为60-65℃,最后于140-160℃的高温烘烤箱中烘烤30-35min。
4.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(2)所述的离子源清洗时间为10-15min,真空度为1.4-1.8×10-1pa,离子源电压为1800-2000V,占空比设置为60%-80%。
5.根据权利要求1所述的玻璃基材真空磁控溅射镀铜方法,其特征在于:步骤(4)中所述的后处理为关闭氩气,然后关闭电源,等待真空磁控溅射反应炉内温度降到≤40℃,开炉取样即得到镀铜玻璃。
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