[发明专利]蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用

权利要求书

1.一种蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的无氟蚀刻液组合物，其特征在于，所述无氟蚀刻液组合物按重量百分比计包含：26-30wt％过氧化氢、0.1-10wt％二元醇、0.1-5wt％蚀刻抑制剂、0.1-5wt％螯合剂、0.1-5wt％蚀刻添加剂、0.1-3wt％pH调节剂和余量的水；

其中所述二元醇为乙二醇、丙二醇、丙烷-1,2-二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、环戊烷-1,2-二醇和环已烷-1,4-二醇中的一种或几种；

所述pH调节剂选自有机碱、无机碱和碱式盐中的至少一种；

所述无氟蚀刻液组合物的pH值为2-6。

2.如权利要求1所述的无氟蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻抑制剂为包含1-10个碳原子的杂环化合物；

所述杂环化合物中包含的杂原子为氧、硫和氮中的至少一种。

3.如权利要求1所述的无氟蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂为包含氨基和羧基的化合物；

所述螯合剂为亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲基磷酸和二亚乙基三胺五亚甲基磷酸中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的无氟蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻添加剂为有机酸、无机酸和磷酸盐中的至少一种；

所述磷酸盐为磷酸一铵、磷酸二铵、磷酸三铵、磷酸氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钠、磷酸氢钾、磷酸氢二钾和磷酸钾中的至少一种。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的无氟蚀刻液组合物在金属配线的蚀刻中的应用，其特征在于，所述金属配线为三层金属配线，其结构为Mo/Cu/Mo叠层或Mo合金/Cu/Mo合金叠层。

6.如权利要求5所述的应用，其特征在于，在所述金属配线中，最下面一层的厚度为中间层的铜电极厚度为最上面一层的厚度为

7.一种采用如权利要求1～4中任一项所述的无氟蚀刻液组合物制造薄膜阵列基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成具有两层金属结构的栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上用氧化物半导体形成活性层；

在所述活性层上形成源极和漏极，其中源极和漏极都是三层金属结构，所述三层金属结构为Mo/Cu/Mo叠层或Mo合金/Cu/Mo合金叠层，其中最下面一层的厚度为中间层铜电极厚度为最上面一层的厚度为及

采用所述无氟蚀刻液组合物一次性湿法蚀刻所述源极和所述漏极。