[发明专利]具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件

说明书

本申请涉及量子点领域，具体而言，涉及一种具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件。制备方法其包括：将三苄胺溶液和第一量子点溶液混合，并将混合液加热到40～80℃进行反应；第一量子点包括第一配体和核壳结构，第一配体包括油酸、油胺或者硫醇中的至少一种。由于三苄胺具有较强的化学极性，与量子点表面金属离子的螯合能力远远强于油酸等常规配体，通过将三苄胺溶液和包含常规配体的第一量子点溶液混合反应，能够将第一量子点的常规配体置换为三苄胺。而三苄胺与量子点形成的配位键强度很高，极大地提高了量子点表面Zn离子或者Cd离子的化学电位，使得Zn离子和Cd离子难以被还原析出，提高QLED器件的稳定性。

技术领域

本申请涉及量子点领域，具体而言，涉及一种具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件。

背景技术

Ⅱ-Ⅵ族量子点主要由Cd、Zn、Se和S四种元素组成，通常采用一锅法或两锅法，由Cd、Zn、Se和S等元素的前驱体反应合成制备不同结构的量子点。目前，这种量子点的配体通常与所用前驱物的有机配体相同，如油酸、油胺等。

如图示1所示，量子点核壳结构外围的条状触手即为包覆在量子点球形结构外的配体，其主要作用是防止量子点团聚，保护量子点的内部结构，减少量子点的表面缺陷。量子点能够用于QLED器件。

现有的QLED器件通常由电极、电荷注入层、电荷传输层、量子点发光层等薄膜结构堆叠而成，通电后向量子点层中注入电子和空穴，使电子和空穴在量子点中复合发光，QLED的内量子点效率为100％，经过多年发展，红绿蓝(RGB)三色QLED的外量子效率(EQE)达到20％。

但是目前QLED的稳定性较差，制约了QLED器件的应用与发展。如图2所示，常见的QLED器件结构，均为正置底发射结构，ITO均为阳极，Al为阴极，PEDOT:PSS和TFB/Poly-TPD分别为空穴注入层和空穴传输层，ZnO纳米粒子层为电子传输层。一般来说，对于QLED器件，由于空穴注入势垒远远高于电子注入势垒(以图示3为例，空穴注入势垒为1.2eV左右，电子注入注入势垒仅为0.4eV左右)，所以电子注入速率远远大于空穴注入速率，这就容易造成电子积累于QD/ETL界面或者积累于QD层，导致QLED的稳定性差。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种具有稳定配体的量子点及其制备方法、QLED器件，其旨在改善现有的QLED的稳定性差的问题。

第一方面，本申请提供一种具有稳定配体的量子点的制备方法，其包括：

将三苄胺溶液和第一量子点溶液混合，并将混合液加热到40～80℃进行反应；

第一量子点包括第一配体和核壳结构，第一配体包括油酸、油胺或者硫醇中的至少一种；核壳结构的组分包括Cd、Zn、Se和S。

在本申请的其他实施例中，上述三苄胺与第一量子点的物质的量的比值为(50～100):1。

在本申请的其他实施例中，上述三苄胺溶液是将三苄胺粉末与非极性溶液混合，在30～50℃加热制得。

在本申请的其他实施例中，上述非极性溶液选自正己烷溶液、正庚烷溶液、十八烷烯溶液中的至少一种。

在本申请的其他实施例中，上述在30～50℃加热的步骤，包括：

将三苄胺粉末与非极性溶液的混合液加热到30～50℃，搅拌混匀，直至混合液澄清。

在本申请的其他实施例中，上述将三苄胺粉末与非极性溶液混合的步骤，包括：

将三苄胺粉末与非极性溶液混合，使混合液中的三苄胺浓度在0.2g/ml～0.6g/ml范围内。

在本申请的其他实施例中，上述第一量子点溶液的浓度为0.005～0.02mmol/ml。