[发明专利]聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010905850.1 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN111978862B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 倪伶俐;刘永涛;芮国锋;蔡鹏;郑菲;张世忠 申请(专利权)人: 淮阴工学院
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D5/08;C09D5/16
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 廖娜;李锋
地址: 223100 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 聚硅氧烷超 疏水 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,常温环境下,将有机硅烷前驱体与阳离子光引发剂搅拌溶解混合均匀后,在基底上均匀涂抹;放置在装有紫外灯的密闭装置中,再通入有机溶剂的水溶液蒸汽环境中光照固化,得到有机聚硅烷超疏水涂层;

所述有机硅烷前驱体的分子式为Cl3SiCnH2n+1,其中n为8、10、12、16或18。

2.根据权利要求1所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂的水溶液蒸汽中,有机溶剂与水的摩尔比为1:0.1~10。

3.根据权利要求2所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮。

4.根据权利要求1所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,通入所述有机溶剂的水溶液蒸汽的压缩空气流量为:5mL/min~50mL/min。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述硅烷前驱体与所述阳离子光引发剂的质量比为1:0.01~0.05。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述光照固化的功率为0.5~200mW /cm2,时间为10-60min。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述阳离子光引发剂为碘鎓盐。

8.根据权利要求7所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述碘鎓盐为双(十二烷基苯基)碘鎓六氟磷酸盐。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所述有机硅烷前驱体为辛基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、十二烷三氯硅烷或葵基三氯硅烷。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的聚硅氧烷超疏水涂层的制备方法,其特征在于,所用基底为玻璃、硅片或PET。

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