[发明专利]像素电路及显示面板在审
| 申请号: | 202010900163.0 | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN111986616A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 曹海明;田超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 电路 显示 面板 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
驱动晶体管,串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路,用于控制流经所述发光回路的电流;
第一晶体管,串接于所述驱动晶体管的漏极与所述驱动晶体管的栅极之间,用于根据第一扫描信号控制所述驱动晶体管的漏极与栅极之间生成传输通道;
第二晶体管,与所述驱动晶体管的栅极和所述第一晶体管的源极/漏极中的一个连接,用于根据第二扫描信号写入数据信号、接入参考信号以复位所述驱动晶体管的栅极电位和其源极电位以及通过所述传输通道补偿所述驱动晶体管的源极电位;
第一电容,串接于所述驱动晶体管的栅极与其源极之间,用于存储所述驱动晶体管的栅极电位;以及
第二电容,串接于所述驱动晶体管的源极与所述第一电源信号之间,用于调节所述驱动晶体管的栅极电位。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管的沟道类型与所述第一晶体管的沟道类型和所述第二晶体管的沟道类型不同;且所述驱动晶体管的沟道材料与所述第一晶体管的沟道材料和所述第二晶体管的沟道材料不同。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管的沟道类型和所述第二晶体管的沟道类型相同;且所述第一晶体管的沟道材料和所述第二晶体管的沟道材料相同。
4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括第一发光控制晶体管;
所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与所述第一电源信号连接;所述第一发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个与所述驱动晶体管的源极连接;所述第一发光控制晶体管的栅极与第一发光控制信号连接。
5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括第二发光控制晶体管;
所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的一个与所述驱动晶体管的漏极连接;所述第二发光控制晶体管的栅极与第二发光控制信号连接。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括至少一个发光器件;
所述第二发光控制晶体管的源极/漏极中的另一个与所述发光器件的阳极连接;所述发光器件的阴极与所述第二电源信号连接。
7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管的沟道类型与所述第一发光控制晶体管的沟道类型和所述第二发光控制晶体管的沟道类型相同;且所述驱动晶体管的沟道材料与所述第一发光控制晶体管的沟道材料和所述第二发光控制晶体管的沟道材料相同。
8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述驱动晶体管为P沟道型多晶硅薄膜晶体管;且所述第一晶体管、所述第二晶体管均为N沟道型多晶氧化物薄膜晶体管。
9.根据权利要求1至8任一项所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源信号的电位高于所述第二电源信号的电位;且所述第一电源信号、所述第二电源信号均为恒压信号。
10.一种显示面板,其特征在于,包括至少一个如权利要求1至9任一项所述的像素电路。
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